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五、价电子的能带图 (1)硅和锗的本征载流子浓度的差异是因激活能不同所致。 (2)从而看出本征载流子浓度随温度上升而迅速增大。 (3)必须强调指出，ni（pi）的数值虽然很大，但它仅占原子密度很小的百分数。例如，室温时，硅的原子密度为4.96×1022/cm3，因此，ni（pi）仅为它的三万亿分之一。 1、串联限幅电路 A、工作原理 （1） RL不变，UI变化 UI若增大，要求UO不变，只能使I增大，而I=IZ+IO， IO不能变化，只能使IZ增大，根据稳压管的特性，IZ 增大，UZ变化很小，可满足要求。 （2） UI 不变， RL 变化 UI 不变， RL 变大，只能使IO变小，才能保证UO不 变，要保证UO不变，则I不变，而IZ=I-IO必然变大， IZ变化很大，UZ基本不变，稳压管可以满足这一要 求。 B、限流电阻的选择 3双极型晶体管中的电流控制作用 以NPN型晶体管为例。 (1)、两个PN结均无外加电压 两个PN结的载流子运动处于动态平衡状态，净电流为零。 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得 ? ? 6 晶体管的放大作用 现在用图1–3来说明在共基接法下晶体管的放大作用。若在图中VEE上叠加一幅度为20mV