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第六章 存储器系统 本章要点 存储器是计算机系统的重要组成部分， 用于存储计算机工作所必需的数据和程序。 它分内存储器和外存储器。 本章要求在了解半导体存储器工作原理 的基础上，着重掌握微机或微机应用系统内 存储器的构成及与CPU的连接方法。 一、半导体存储器的分类 微机中内部存储器一般都使用 半导体存储器，其特点是集成度高、 成本低、存储速度快。半导体存储 器的分类如下图所示。 一、半导体存储器的分类 半 静态RAM （SRAM ） 读写存储器（RAM ） 导 动态RAM （DRAM ） 体 掩膜ROM 存 可编程ROM （PROM ） 储 只读存储器（ROM ） 紫外线光可擦除ROM （EPROM ） 器 电可擦除ROM E 2 （ PROM ） 二、存储器的主要技术指标 半导体存储器的主要技术指标包括 存储容量、存取速度、可靠性、功耗、 工作温度范围和体积，其中最重要的是 存储容量和存取速度（存取速度用最大 存取时间来衡量）。 二、存储器的主要技术指标 （1）存储容量。存储容量是 存储器的一个重要指标。存储容量 是指存储器可以存储的二进制信息 量，即： 存储容量=字数×字长 二、存储器的主要技术指标 而微机中经常用能存储的字节 数来表示存储容量，并以KB（1024 个字节）作为容量的单位。如64KB 表示65536个字节。 二、存储器的主要技术指标 （2）存取速度（最大存取时间）。存储 器的存取时间定义为存储器从接收存储单元 地址码开始，到取出或存入数据为止所需的 时间，其上限值称为最大存取时间。存取时 间的大小反映了存储速度的快慢。存取时间 越小，则存取速度越快。超高速存储器的最 大存取时间小于20ns，中速存储器在100- 200 ns之间，低速存储器在300 ns以上。 三、存储器芯片介绍 1. Intel 2114 SRAM Intel 2114 是1K ×4 SRAM ，单一 的+5V 电源，所有的输入端和输出端都 与TTL 电路兼容。它的电原理图逻辑符 号见图6.2.3。 三、存储器芯片介绍 图6.2.3 （a ）电原理图 三、存储器芯片介绍 A ~A 地址输入 D ~D 数据输入/输出 0 9 0 3 WE 写允许 Vcc 电源 CS 片选 GND 地 图6.2.3