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第二章 PN结二极管 2.1 PN结的电流 2.1.1 定性描述 2.1.2 理想模型 2.2 理想PN结电流 2.2.1 少数载流子分布 2.2.2 理想PN结电流 2.2.3 温度效应和短二极管 2.3 交流小信号模型 2.3.1 扩散电阻 2.3.2 扩散电容 2.3.3 等效电路 2.4 产生-复合电流 2.4.1 反偏产生电流 2.4.2 正偏复合电流 2.4.3 总正偏电流 2.5 PN结的击穿* 2.5.1 击穿机制 2.5.2 击穿电流和电压 2.1 PN结电流 2.1.1 定性描述 P区 N区 ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? P区 N区 ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? + Va - Ec Ev EFi EF Ec Ev EFi EFp EFn 注：势垒高度降低?促进电子和空穴扩散?形成电子电流和空穴电流 （b）正向偏压 （a）平衡态 2.1.2 理想模型 P区 N区 ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? | ? ? ? + Va - Ec Ev EFi EFp EFn 1、耗尽层突变近似 —耗尽层以外地方为平衡半导体 2、非简并假设 —载流子统计采用麦克斯韦-玻尔兹曼近似 3、小注入条件 —过剩载流子浓度远小于多数载流子 4、串联假设 —PN结内电流处处相等 5、忽略耗尽区内的产生-复合作用 —耗尽区内电子电流和空穴电流恒定 2.2 理想PN结电流 2.2.1 少数载流子分布 Ec Ev EFi EFp EFn P区 N区 P区边缘： 空间电荷区： N区边缘： （1）边界条件 2.2.1 少数载流子分布 （2）P区少子分布 Ec Ev EFi EFp EFn P区 N区 P区（空间电荷区外侧）： 双极输运方程 2.2.1 少数载流子分布 （3）N区少子分布 Ec Ev EFi EFp EFn P区 N区 N区（空间电荷区外侧）： 双极输运方程 2.2.2 理想PN结电流 （1）理想电流 电子电流： P区 N区 P区 N区 空穴电流： 总电流： 2.2.2 理想PN结电流 （2）伏-安特性 P区 N区 + Va - V I 正向导通 反向截止 0 2.2.2 理想PN结电流 （3）物理学小结 n p ?n ?p 空间 电荷区 P区 N区 （a）载流子分布 （b）电流分布 2.2.3 温度效应和短二极管 （a）温度效应 （b）短二极管 P N 2.3 交流小信号模型 2.3.1 扩散电阻 V I 0 P区 N区 + V0 - 2.3.2 扩散电容 P区 N区 + V0 - P区 N区 2.3.3 等效电路 （a）小信号导纳: P区 N区 （b）等效电路: 2.4 产生-复合电流 2.4.1 反偏产生电流 内建电场 N区 P区 2.4.2 正偏复合电流 空间电荷区 N区 P区 相对 复合率 空间电荷区 相对距离 2.4.3 总正偏电流 总电流 理想电流 JD（斜率=1） P N 复合 复合电流 JD（斜率=1/2） 2.5 PN结的击穿 2.5.1 击穿机制 势垒 1 2 3 4 1’ 2’ 3’ 4’ （1）齐纳击穿 （2）雪崩击穿 2.5.2 击穿电流和电压 V I 正向导通 反向截止 击穿 饱和 隧道击穿 雪崩击穿 （1） 击穿电流 （2） 击穿电压