电子技术基础_模拟部分_第五版_第二章.pptVIP

半导体器件的种类及发展 第二章 二极管及其基本电路 主要内容： 1.半导体的基本知识 2.PN结的形成及特性 3.二极管 4.二极管的基本电路及其分析方法 5.特殊二极管 2.1 半导体的基本知识 一、半导体材料 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 二、半导体的共价键结构 半导体的导电性能同样与其原子结构有关。硅和锗的原子结构有一个共同点，即都是四价元素，其原子的最外层电子数都是4个，原子的最外层电子通常称为价电子。价电子受核的束缚力最小，半导体的导电性能与价电子有关，内层电子与原子核构成稳定的惯性核，若用+4代表惯性核所具有的电荷量，则可以用图2.1表示硅或锗的简化原子结构模型。 三、 本征半导体、空穴及其导电作用 本征半导体的导电机理 结论： 半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 四、杂质半导体（doped semiconductor ） 3.2 PN结(The PN Junction)的形成及特性 漂移（ Drift ） 若有电场加到晶体上，则内部载流子将受力做定向移动。空穴的移动方向与电场方向相同，而电子则逆着电场的方向移动。 电场作用而导致载流子的运动称为漂移。 扩散（Diffusion） 由于制造工艺和运行机制等原因，使某一特定区域内的空穴或电子的浓度高于正常值。载流子由高浓度区域向低浓度的区域的运动称为扩散。 3.2 PN结的形成及特性 三、 PN结的单向导电性 ⑵PN 结加反向电压（反向偏置） ⑵PN 结加反向电压（反向偏置） （3）PN结V-I特性的表达式 四、PN结的电容效应 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构和符号 3.3.2 伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 4.极间电容 包括势垒电容 和扩散电容 ，在高频或开关状态运用时，必须考虑极间电容的影响。 二极管的单向导电性 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 一 、二极管V-I特性的建模 二极管电路分析举例 举例： 1）整流电路 2)静态工作情况分析 4）开关电路 5）低电压稳压电路 3.5 特殊二极管 3. 主要参数 作业： P97 3.4.2、3.4.5、3.4.7、3.5.1 为通过PN结的电流，IS为反向饱和电流 为PN结两端的外加电压 n 为发射系数，它与PN结的尺寸、材料及通过的电流有关，其值在1~2之间 (1) 势垒电容CB（Barrier) 由空间电荷区的离子薄层形成（反偏时） ——电压变化，电荷变化（充放电） 由多子扩散（正偏）在PN结另一侧积累形成 (2) 扩散电容CD(Diffusion) 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 　　二极管 = PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型— 一、结构类型 (c)平面型 (3) 平面型— (2) 面接触型— (b)面接触型 二、符号 标记 Diode D1 D2 Kathode 3.3.2 伏安特性 IS :反向饱和电流 VT =kT/q :温度的电压当量 室温（T=300 K）下， VT=26 mV 一、理想二极管方程 (PN结方程) ？定性 ——单向导电性 非线性 器件！ 实际D与理想D两点区别： 二、实际二极管伏安特性 1)正向(V0)存在死区电压 硅：Vth=0.5 V Threshold 锗：Vth=0.1 V 阈限　　 2)反向(V0)存在击穿电压 VBR(Breakdown) 雪崩击穿Avalanche 齐纳击穿Zener （均可逆) 实际 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.7 锗0.2V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2