等离子体增强化学气相沉积设备说明书.docVIP

M82200-3/UM型 等离子体增强化学气相淀积设备 使 用 说 明 书 中国电子科技集团公司第四十八研究所 目 录 1 概述 2 结构特征与工作原理 3 主要性能指标 安装与调试 使用与操作 常见故障分析与排除 保养与维修 安全防护及处理 运输、贮存与开箱检查 重量与外形安装尺寸 文件资料 1 概述 PECVD设备的特点 1.1.1 利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术被称为等离子体增强CVD。电子和离子的密度达109~1012个/cm3，平均电子能量可达1~10ev。 1.1.2 成膜过程在真空中进行，大约在5~500Pa范围内。 1.1.3 由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃~500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃~950℃范围内成膜。 1.1.4 PECVD成膜均匀，尤其适合大面积沉积。 1.1.5 如果用于刻蚀可以刻蚀0.3μm以下的线条。 1.1.6 由于在氨气压条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度，一般可达（30-300）nm/min以上。 1.2 PECVD设备的主要用途 1.2.1 利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。这样厚度的膜与光发生各种作用，具有光学功能性。即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。由于这种性质的存在，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。 1.2.2 用于集成光电子器件介质SiYNX膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。 1.2.3 在医用生体材料的表面改性，功能性薄膜的制备等。 1.2.4 在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。 1.2.5 在半导体工艺中不仅用于成膜，而且用于刻蚀，也是一个较为理想的设备，它可刻0.3μm以下的线条。 PECVD设备的品种规格 C1 M82200-1/UM （适用156×156以下方片，70片/批，适合科研和教学用） C3 M82200-2/UM (156×156以下方片，适合科研和教学以及小规模生产线用) C3 M82200-3/UM (156×156以下方片，适合大规模生产线用) 型号的组成及其意义 使用环境及工作条件 1.5.1 环境温度 ＜25℃ 1.5.2 相对湿度 ＜75% 1.5.3 净化等级 1000级~10000级 1.5.4 电源 三相五线，380V/50HZ，≤50KW/管 1.5.5 供水 水压0.2MPa~0.4MPa 1.5.6 供气 SiH4 NH3 N2 O2 CF4五路气体，气压0.2MPa~0.45MPa 1.5.7 配排风排毒装置 1.5.8 整机要有一条较理想的大地线（高频电源专用线） 对环境及能源的影响 PECVD设备本身对环境及能源没有任何影响，若用户采用不同的工艺，使用不同的气体可能对环境稍有影响，但由于用气量非常小，不会造成任何危害。 安全 本设备在设计过程中已充分地考虑了安全因素，只要用户不违反操作规程绝不会出现安全事故。唯一可能在工艺过程中使用易燃气体SiH4，气体源应远离操作台，工作场地禁止使用明火，工作人员禁止吸烟。所有气路管道不允许有任何泄漏点。 结构特征与工作原理 2.1 总体结构共分六个部分，见图2-1 图2-1 总体结构图 2.2 工作原理 随着电子工业的发展，大规模集成电路（LSI）技术要求在数平方毫米大小的面积内载有几千、几万个功能，且必须保证其高度的可靠性。为了在这样微小的世界中创造出“微型巨人”，全世界进行了多种多样的技术革新，LSI的重要的工艺过程—薄膜形成技术也在不断革新，利用等离子放电技术—等离子体CVD技术就是其中之一。以高可靠性纯化技术被开发的等离子体CVD技术70年代以来已成为研究的热点，并将不断成长为一项成熟的技术。应用等离子CVD法形成的代表性材料是等离子体氮化硅膜（Si3N4）和等离子体氧化硅膜（SiO2或PSG）。它的生成温度比普通的化学气相沉积的膜温度要低得多，且性能优良。PECVD生成膜的反应过程是： SiH4 + NH3 Si3N4 + H2↑ 3SiH4 + 4NH3 Si3N4 + 12H2↑ 但是并不是说此类设备完美无缺。此台PECVD设备，如果不根据设备的特性，摸索出一套成熟的工艺条件，膜的性质是不稳定的。如需要考虑的参数有：①生成温度；②生成气体比；③生成压力；④RF功率；⑤排气速率；⑥沉积速率。因为这些参数完全靠实践来掌握，理论只提供