半导体物理习题_2_半导体中的杂质与缺陷能级.docVIP

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2017-09-26 发布于广东
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半导体物理习题_2_半导体中的杂质与缺陷能级.doc

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第二章半导体中的杂质和缺陷能级例题：第二章半导体中的杂质与缺陷能级例1. 半导体硅单晶的介电常数＝11.8，电子和空穴的有效质量各为＝0.97，＝0.19和＝0.16，＝0.53，利用类氢模型估计：（1）施主和受主电离能; （2）基态电子轨道半径。思路与解：（1）利用下式求得和。因此，施主和受主杂质电离能各为：（2）基态电子轨道半径各为：式中, 是波尔半径。评析：本题须注意的是硅的导带为多能谷结构，价带有两个，所以在计算杂质电离能和电子轨道半径时，需考虑电子横向有效质量和纵向有效质量，重空穴和轻空穴有效质量。习题： 1.什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2.什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。 3.什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出p型半导体。 4.掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 5.两性杂质和其它杂质有何异同？ 6.深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 7.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？