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第七章 半导体表面与MIS结构
例1 设在金属与n型半导体之间加一电压，且n-Si接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。
求耗尽层内电势V(x)；
若表面势；外加电压5V, 施主浓度，求耗尽层厚度。设，。
思路与解：（1）根据耗尽层近似，即假设空间电荷层的电子都已全部耗尽，电荷全由已电离的施主杂质构成，设掺杂是均匀的，则空间电荷层的电荷密度，
故泊松方程可写为：
设为耗尽层宽度，则因半导体内部场强为零，有：
设体内电势为0，即 ，，积分上式得；式中时，即为。
（2）当加电压为时，表面势由Vs提高为Vs＋V，
所以，外加电压为V后，
评析：半导体表面出现的耗尽层中各点的电势与离表面的距离有关，其耗尽层的厚度与表面电场有关。
例2 试导出使表面恰为本征时表面电场强度，表面电荷密度和表面层电容的表示式（设p型硅情形）。
思路与解： 当表面恰为本征时，即Ei在表面与EF重合
所以 Vs=VB
设表面层载流子浓度仍遵守经典统计。则
表面恰为本征
故
但
取对数即得：
F函数：
p型硅，且
故 ，
因此：
故：
习题：
1. 解释什么是表面积累、表面耗尽和表面反型？
2. 在由n型半导体组成的MIS结构上加电压VG，分析其表面空间电荷层状态随VG变化的情况，并解释其C－V曲线。
3.试述影响平带电压VFB的因素。
Ec
Ev
Ei
EF
qVB
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