电子技术基础第14章_半导体器件.ppt

课 程 简 介 一、电子技术组成 1.模拟电子技术： 半导体器件：二极管D，三极管（晶体管）,场效应管 分立元件电路：共射极、共基极、共集电极放大电路，差放，功放 集成电路：集成运放，集成功放 信号：产生，放大，反馈，运算，比较 2.数字电子技术： 组合逻辑电路：分析，设计，门电路是基本单元 时序逻辑电路：分析，设计，触发器是基本单元 二、 学习方法： 14.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 3. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URWM一般是UBR 的一半。 2. 反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。为U(BR) / 2 4. 反向电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。 例: 图中电路，输入端A的电位VA=+3V，B的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负电源-12V。 VY=+2.7V 解： DA优先导通， DA导通后， DB上加的是反向电压，因而截止。 DA起钳位作用， DB起隔离作用。 二极管的应用例1： -12V VA VB +3V 0V DB DA VY 判断二极管导通还是截止的原则：先将二极管断开，然后观察或计算二极管正、负两极间是正向电压还是反向电压，若正向则导通，否则截止。 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V， (1) 若 ui为4V的直流信号，试计算电路的电流I和输出电压uo, (2) 如果ui为幅度为±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，试分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：（1）当ui = 4v时，二极管导通 二极管的应用例2： + - - + UREF I ui R uo 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t （2）解： ① 当ui 2v时，二极管截止； ② 当ui 2v时，二极管导通； uo = ui ； uo = UREF=2v. + - - + UREF I ui R uo 14.4 稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 正向同二极管 符号： 工作条件：反向击穿 稳压管工作于反向击穿区。稳压管击穿时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 稳压二极管的应用例3： 稳压管的技术参数: 负载电阻RL＝600Ω，求限流电阻R取值范围。 解：由电路可得 + UZ - IZ DZ R IL IR + Ui=15V - RL 半导体三极管又称晶体三极管，简称晶体管或三极管。在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型三极管，简记为BJT（英文Bipo1ar Junction Transistor的缩写）。它的基本功能是具有电流放大作用。 三极管属于电流控制型器件。 14.5 双极型晶体管 14.5.1 基本结构 N N P 集电极 C 基极 B 发射极 E NPN 注：符号中箭头的方向表示发射结正偏时发射极电流的方向。 基区，电极称为基极 B（Base） 发射区，电极称为发射极 E（Emitter） 集电区，电极称为集电极 C（Collector） 集电结Jc 发射结Je 符号: B C E P P N 集电极 C 基极 B 发射极 E PNP B C E 符号： 三极管结构特点： 为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到： 使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子； 以上三条实际上是三极管放大作用的内部条件。 2. 使基区掺杂浓度最小，且基区最薄，以有效地传输载流子； 3. 使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。 一、一个实验 14.5.2 电流分配和放大原理 共射极放大电路 RB IC IB EC EB IE B C E V mA mA μA + UBE _ V + UCE _ 4.05 3.18 2.36 1.5