207-第二章 MCS-51系列单片机的结构和原理.ppt

一、P0口的结构 1、P0口作为普通I/O口 2、P0作为地址/数据总线 二、P2的内部结构 ②P3的内部结构 §2.3 MCS-51单片机的并行端口结构与操作 8051单片机有4个I/O端口，每个端口都是8位准双向口，共占32根引脚。每个端口都包括一个锁存器(即专用寄存器P0～P3)、一个输出驱动器和输入缓冲器。通常把4个端口笼统地表示为P0～P3。 在无片外扩展存储器的系统中，这4个端口的每一位都可以作为准双向通用I/O端口使用。在具有片外扩展存储器的系统中，P2口作为高8位地址线，P0口分时作为低8位地址线和双向数据总线。 8051单片机4个I/O端口线路设计的非常巧妙，学习I/O端口逻辑电路，不但有利于正确合理地使用端口，而且会给设计单片机外围逻辑电路有所启发。 下面简单介绍一下输入/输出端口结构。 2.3.1 P0口和P2的结构 下图为P0口的某位P0.n(n=0~7)结构图，它由一个 输出锁存器、两个三态输入缓冲器和输出驱动电路 及控制电路组成。从图中可以看出，P0口既可以作 为I/O用，也可以作为地址/数据线用。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 ①输出时 CPU发出控制电平“0”封锁“与”门，将输出上拉场效 应管T1截止，同时使多路开关MUX把锁存器与输出 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 驱动场效应管T2栅极接通。故内部总线与P0口同相。由于输出驱动级是漏极开路电路，若驱动NMOS或其 它拉流负载时，需要外接上拉电阻。P0的输出级可驱动8个LSTTL负载。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 ② 输入时----分读引脚或读锁存器 读引脚：由传送指令(MOV)实现； 下面一个缓冲器用于读端口引脚数据，当执行一条由端口输入的指令时，读脉冲把该三态缓冲器打开，这样端口引脚上的数据经过缓冲器读入到内部总线。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 ② 输入时----分读引脚或读锁存器 读锁存器：有些指令 如：ANL P0，A称为“读-改-写” 指令，需要读锁存器。 上面一个缓冲器用于读端口锁存器数据。 **原因：如果此时该端口的负载恰是一个晶体管基极，且原端口输出值为1，那么导通了的PN结会把端口引脚高电平拉低；若此时直接读端口引脚信号，将会把原输出的“1”电平误读为“0”电平。现采用读输出锁存器代替读引脚，图中，上面的三态缓冲器就为读锁存器Q端信号而设，读输出锁存器可避免上述可能发生的错误。** D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 准双向口： 从图中可以看出，在读入端口数据时，由于输出驱动FET并接在引脚上，如果T2导通，就会将输入的高电平拉成低电平，产生误读。所以在端口进行输入操作前，应先向端口锁存器写“1”，使T2截止，引脚处于悬浮状态，变为高阻抗输入。这就是所谓的准双向口。 在系统扩展时，P0端口作为地址/数据总线使用时，分为： P0引脚输出地址/数据信息。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 CPU发出控制电平“1”，打开“与”门，又使多路开关MUX把CPU的地址/数据总线与T2栅极反相接通，输出地址或数据。由图上可以看出，上下两个FET处于反相，构成了推拉式的输出电路，其负载能力大大增强。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 2、P0作为地址/数据总线 P0引脚输出地址/输入数据 输入信号是从引脚通过输入缓冲器进入内部总线。 此时，CPU自动使MUX向下，并向P0口写“1”，“读引脚”控制信号有效，下面的缓冲器打开，外部数据