计算机组成原理第六章.pptVIP

接口原理 ①检查是否有键按下：输出扫描码，使所有行线为0。然后读入列线状态，检查是否有列线为0。 若有，则表明有行线和列线接通，有键按下。 ②去抖动：当有键按下时，延时20ms左右，待抖动消失后，在稳定状态下进行被按键识别。 ③被按键识别：从第0行第0列开始，顺序对所有按键编号。通过逐行扫描确定被按键的编号。 ④产生键码：根据扫描得到的键编号查找键盘编码表，获得与被按键功能对应的键码。 光盘存储设备 类型：只读型、Worm型、可擦写型。 (1) 只读型 凹坑——信息记录载体，压制形成，边界代表1，平面代表0 光道——螺旋形，恒线速 通道码——14位（2,10）RLL编码，代表8位数据 帧——记录24字节有效数据，CIRC编码，共32字节 扇区——98个帧，2352字节有效数据，2048字节用户数据 (5) 改进调频制(MFM) 与调频制的区别在于只有连续记录两个或两个以上“0”时，才在位周期的起始位置翻转一次，而不是在每个位周期的起始处都翻转，因而进一步提高了记录密度。 MFM可用于双密度磁盘存储器。 编码效率、自同步能力、 检读分辨力、信息相关性、抗干扰能力、信道带宽、编码译码电路的复杂性等。 例如，FM，PM记录方式中记录一位数字信息的最大磁化翻转次数为2，因此编码效率为50%。而MFM，NRZ，NRZ1三种记录方式的编码效率为100%，因为它们记录一位数字信息磁化翻转最多一次。 3. 记录方式的评价标准 (1)编码效率 指位密度与最大磁化翻转密度之比，也就是指每次磁层状态翻转所存储的数据信息位的多少。 (2) 自同步能力 是指从读出数据(脉冲序列)中自动提取同步信号( 时间基准信号)的能力。自同步能力的大小可以用最小磁化翻转间隔与最大磁化翻转间隔的比值R来衡量。R越大， 自同步能力越高。　 同步信号：从磁表面存储器读出信号时，为了分离出数据信息必须要有时间基准信号，称为同步信号。 外同步：从专门设置用来记录同步信号的磁道中取得同步信号，这种方法称为外同步。 自同步：但对于高密度的记录系统来说，还希望能直接从磁盘读出的信号中提取同步信号，这种方法称为自同步。 如果说某种编码方法具有自同步能力，就是指能从读出数据（脉冲序列）中提取同步信号。 　例：NRZ和NRZ1制记录方式没有自同步能力，因为当连续记录“1”时，NRZ制记录方式磁层不发生磁化翻转，而当连续记录“0”时，NRZ和NRZ1制记录方式的磁层不发生磁化翻转。 而PM、FM、MFM记录方式有自同步能力。FM记录方式的最大磁化翻转间隔是位周期T，而它的最小磁化翻转间隔是T/2，因此RFM = 0.5。 (3) 检读分辨力 是指磁记录系统对读出信号的分辨能力。 (4) 信息相关性 是指漏读或错读一位是否会传播误码，是衡量精度的指标。 在磁表面存储器中，利用一种称为磁头的装置来形成和判别磁层中的不同磁化状态。磁头实际上是由软磁材料做铁芯绕有读写线圈的电磁铁。 4. 磁表面存储器的读写原理 当写线圈中通过一定方向的脉冲电流时，铁芯内就产生一定方向的磁通。由于铁芯是高导磁率材料，而铁芯空隙处为非磁性材料，故在铁芯空隙处集中很强的磁场。 在这个磁场作用下，载磁体就被磁化成相应极性的磁化位或磁化元。若在写线圈里通入相反方向的脉冲电流，就可得到相反极性的磁化元。如果我们规定按图中所示电流方向为写“1 ”，那么写线圈里通以相反方向的电流时即为写“0”。上述过程称为写入。 显然，一个磁化元就是一个存储元，一个磁化元中存储一位二进制信息。当载磁体相对于磁头运动时 ，就可以连续写入一连串的二进制信息。 (1) 写操作 当磁头经过载磁体的磁化元时，由于磁头铁芯是良好的导磁材料，磁化元的磁力线很容易通过磁头而形成闭合磁通回路。 不同极性的磁化元在铁芯里的方向是不同的。当磁头对载磁体作相对运动时，由于磁头铁芯中磁通的变化，使读出线圈中感应出相应的电动势e，其值为： (2) 读操作 负号表示感应电势的方向与磁通的变化方向相反。 　 通过电-磁变换，利用磁头写线圈中的脉冲电流，可把一位二进制代码转换成载磁体存储元的不同剩磁状态； 反之，通过磁-电变换，利用磁头读出线圈，可将由存储元的不同剩磁状态表示的二进制代码转换成电信号输出。 (3) 磁表面存储器存取信息的原理 不同的磁化状态，所产生的感应电势方向不同。这样，不同方向的感应电势经读出放大器放大鉴别，就可判知读出的信息是“1”还