数电重点知识归纳679.docVIP

脉冲波形的产生和整形 1，用CMOS门构成的施密特电路的分析与计算。 G1、G2为CMOS反相器 阈值电压：VTH=1/2VDD R1R2 正向阈值电压VT+：vI上升过程中电路状态发生转换时对应的输入电平。 负向阈值电压VT-：vI下降过程中电路状态发生转换时对应的输入电平。 2，晶体振荡器的振荡频率等于晶体的固有频率。 3，占空比的定义：脉冲宽度tw 脉冲周期T 4，用门电路组成的微分型单稳态触发器。 CMOS： VTH=1/2VDD VOH≈VDD VOL≈0 脉冲宽度： 5,用门电路组成的积分型单稳态触发器。 脉冲宽度： 输出脉冲幅度：Vm=VOH-VOL 分辨时间：td=TTR+tre 6，用施密特电路构成的多谐振荡器的分析。 多谐振荡器是一种自激振荡器。在接通电源以后不需要外加触发信号，便能自动地产生矩形脉冲。 7，555定时器. VCO悬空时: VR1=2/3 VCC VR2=1/3 VCC VCO接固定电压时: VR1=VCO VR2=1/2VCO × × 8.555定时器构成的单稳态电路的分析与计算。 脉冲宽度 9，555定时器构成的多谐振荡器的分析与计算。 重点掌握：由555定时器构成的脉冲电路： （1）电路形式（2）关键点的波形（3）电路元件（555管脚）作用（4）电路参数 10.用555定时器接成的施密特触发器 ?VT = VT+ – VT– =1/3 VCC 第七章 半导体存储器 1、存储器的分类及每种类型的特点 掩模ROM：信息出厂时已固化在里面,用户无法更改。 ROM PROM：信息由用户写入，只能写一次，不能改写。 EPROM：信息由用户写入，可用光擦除后重写。 E2PROM：信息由用户写入，可用电擦除后重写。 RAM SRAM：靠触发器存储信息，不需刷新。 DRAM：利用MOS管栅电容存储信息，需要刷新。 2，用ROM构成组合逻辑函数的方法及ROM构成的组合电路的分析 地 址 输 入 × 位数 = 2n × b（位） 存储器容量的扩展. 字扩展方法：地址线同名端并联、读/写控制线并联、片选线并联。 位扩展方法：片内地址线同名端并联、读/写控制线并联、I/O同名端并联、多余地址线经译码后控制片选端。 数—模和模—数转换 1.权电阻网络D/A转换器的工作原理。 输入为 n 位二进制数时的表达式： 当Dn = dn-1 dn-2 … d1 d0时： 输出的模拟电压vo正比于输入的数字量Dn 倒T形D/A转换器的原理。 输入为 n 位二进制数时的表达式：1.只有R、2R两种阻值的电阻； 2.模拟开关Si不论接何位置，都相当于接地； 3.从AA~DD端向左看的等效电阻皆为R。 (一)分辨率--输出模拟电压应能区分0~2n-1共2n个输入数字量。 表示方法： (1)用输入二进制数的位数表示； 分辨率 (2)用输出模拟电压的最小值与最大值的比值表示。 (二)转换误差 有时也称为线性误差，它表示实际输出模拟电压与理想输出模拟电压间的最大误差。 转换误差的表示形式：(1)最低有效位的倍数。如：1LSB。 (2)输出电压满刻度FSR(Full Scale Range)的百分数。如：0.1％FSR。 二、转换速度 用完成一次转换所需的时间---建立时间tset来衡量。 建立时间：从输入信号的数字量发生突变开始，直到输出电压进入与稳态值相差± 1/2LSB范围以内的时间。 ADC的转换步骤。 基本步骤：对输入的模拟信