HLD-HM-IIB亥姆霍兹实验仪.doc

HENGLIDA HLD-HM-IIB型 亥姆霍兹实验仪 使 用 说 明 书 南京恒立达光电有限公司 江苏慧硕科教仪器有限公司 地址：南京市雨花区安德门大街46号 邮编：210012 总机：025 传真：025 E-mail:hld@ 亥姆霍兹实验仪使用说明 一、概述 亥姆霍兹实验是综合性大学和工科院校物理实验教学大纲重要实验之一。通过实验可以学习和掌握弱磁场测量方法、证明磁场迭加原理以及根据教学要求描绘磁场分布等。传统的亥姆霍兹实验仪一般用探测线圈配以指针交流电压表测量磁感应强度，由于线圈体积大，指针式交流电压表等级低等原因，测量的误差较大。近年来，在科研和工业中，集成霍耳传感器由于体积小，测量准确度高，易于移动和定位，所以被广泛应用于磁场测量。例如：型集成霍耳传感器就是一种高灵敏度的优质磁场传感器，它的体积小（面积，厚），其内部具有放大器和剩余电压补偿电路，采用此集成霍耳传感器（配直流数字电压表）制成的高灵敏度毫特计，可以准确测量的磁感应强度，其分辨率可达。因此，用它探测载流线圈及亥姆霍兹线圈的磁场，准确度比用探测线圈高得多。用高灵敏度集成霍耳传感器测量弱交、直流磁场的方法已在科研与工业中广泛应用。 本仪器采用先进的95A型集成霍耳传感器作探测器,用直流电压表测量传感器输出电压,探测亥姆霍兹线圈产生的磁场,测量准确度比探测线圈优越得多,仪器装置固定件牢靠，实验内容丰富。 二、实验仪器 HLD-HM-IIB型亥姆霍兹实验仪 三、 实验目的 （1）测量亥姆霍兹线圈磁感应强度与电流的关系； （2）测量单个载流圆线圈轴线上各点磁感应强度，将测量的磁感应强度与理论计算值比较； （3）描绘载流圆线圈及亥姆霍兹线圈的磁场分布，将测量的磁感应强度与理论计算值比较； （4）在固定电流下，分别测量单个线圈（线圈和线圈）在轴线上产生的磁感应强度和，与亥姆霍兹线圈产生的磁场进行比较； 四、实验原理 1 根据毕奥—萨伐尔定律，载流线圈在轴线（通过圆心并与线圈平面垂直的直线）上某点的磁感应强度为： 　　　　　　　　（1） 式中为真空磁导率，为线圈的平均半径，为圆心到该点的距离，为线圈匝数，为通过线圈的电流强度。因此，圆心处的磁感应强度为： 　　　　　　　　　　　　（２） （2）轴线外的磁场分布计算公式较为复杂，这里简略。 3 亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈，两线圈内的电流方向一致，大小相同,线圈之间的距离正好等于圆形线圈的半径。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点附近产生较广的均匀磁场区，所以在生产和科研中有较大的使用价值，也常用于弱磁场的计量标准。 设为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点处的距离，则亥姆霍兹线圈轴线上任意一点的磁感应强度为： （3） 而在亥姆霍兹线圈上中心处的磁感应强度为： 　　　　　　　　　　　　　　　　（4） （4）霍尔效应 霍尔效应是具有载流子的导体（或半导体）同时处在电场和磁场中而产生电势的一种现象。如图3（带正电的载流子）所示，把一块宽为b，厚为d的导电板放在磁感应强度为B的磁场中，并在导电板中通以纵向电流I ，此时在板的横向两侧面、之间就呈现出一定的电势差，这一现象称为霍尔效应，所产生的电势差UH称霍尔电压。霍尔效应的数学表达式为： UH＝RH RH是由半导体本身载流子迁移率决定的物理常数，称为霍尔系数。霍尔效应可以用洛伦兹力来解释。 （5）霍尔传感器 本实验用SS95A型集成霍尔传感器测量载流圆线圈磁场分布，其工作原理也基于霍尔效应，即： UH＝RH＝KHIB 其中 KH＝RH/d KH称为霍尔元件灵敏度，B为磁感应强度，I为流过霍尔元件的电流强度。 理论上B为零时，UH也为零，但实际情况UH值并不为零，这是由于霍尔元件所用的半导体材料结晶不均匀、各电极不对称等引起附加电势差U0 ，称为剩余电压。 本实验采用的SS95A型集成霍尔传感器由霍尔元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿器组成，测量时输出信号大，剩余电压的影响已被消除。一般的霍尔元件有四根引线，两根为输入霍尔元件电流的“电流输入端”；另两根为霍尔元件的“霍尔电压输出端”。本实验在设计安装时，传感器、圆线圈的工作回路相互独立，并且传感器的工作电流已设定为标准工作电流（定值）。即： KHI＝K（常数）；则有 UH＝KB K为常数 这样UH与B建立简单的正比对应关系，由UH值可得出B的示值。 五、 仪器组成及仪器介绍 （1）亥姆霍兹实验平台，台面上有等距离间隔的网格线； （2）高灵敏度三位半数字