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3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路 推导步骤 首先利用电荷控制方程得到 “ i ~ q ” 关系，然后再推导出 “ q ~ v ” 关系，两者结合即可得到 “ i ~ v ” 方程。 本节以均匀基区 NPN 管为例。 3.9.3 高频小信号电流电压方程 用高频小信号的振幅表示的共发射极高频小信号电流电压方程为 式中， 代表集电极电流受发射结电压变化的影响，称为晶体管的 转移电导，或 跨导。 根据发射极增量电阻 re 的表达式，gm 与 re 之间的关系为 由晶体管的直流电流电压方程式（3-59b），当集电结反偏时，跨导可表为 共基极高频小信号电流电压方程为 （3-358a） （3-358b） 对于直流状态或极低的频率，只须忽略所有电容，就可以得到相应的直流小信号电流电压方程。例如晶体管的共发射极直流 小信号电流电压方程为 3.9.5 小信号等效电路 晶体管内部的作用虽然很复杂，但从外部看，只有输入端的电流电压和输出端的电流电压这四个信号量。晶体管用在电路中时，重要的只是这四个量之间的关系。特别是在小信号运用时，这些信号量之间的关系为线性关系。 如果用另外一些元件构成一个电路，使其输入输出端上信号量之间的关系和晶体管的完全一样，则这个电路就是晶体管的 等效电路。在分析含有晶体管的电路时，可以用等效电路来代替晶体管。要注意的是，等效电路是对外等效对内不等效，所以等效电路不能用来研究晶体管的内部物理过程。 根据共发射极高频小信号电流电压方程 可得原始的共发射极高频小信号等效电路 1、混合π等效电路 电路的转换 利用电流源的转换关系： c、e 之间的 和 e、b 之间的 可以转化为 c、b 之间的 ，又由于此电流正比于 c、b之间的电压 Vcb ，所以这实际上是 c、b 之 间的电容 。 CDE 、CTE 和 CTC 的意义很明显 ， 代表 Vcb 变化时，通过 WB 的变化而引起的 qb ( C ) 的变化。 图中， 与 e、b 之间的 作上述转换，变成 c、b之间的 ，这个 电流正比于 Vcb ，因此是一个电阻，即 r? 。 再将 c 、e 之间的 改写成 将其中的 和 。两个受 Vbe 控制的电流源可合并为一个电流源，另一个受 Vce 控制的电流源是一个电阻 。 将 c、e 之间剩下的 改写成 从而分成分别受 Vce 和 Vbe 控制的两个电流源，即 于是得到晶体管的高频小信号混合π等效电路 电路的简化 再考虑到基极电阻 rbb’ 和 c、b 之间的电容 C? 2 后得： 图中， 以上等效电路因为未包括 ?d 与 ?c 的作用，因此只适用于 fT 500 MHz 的一般高频管。 等效电路中有两个 r 与 C 的并联支路，所以若要作进一步简化，则在不同的频率范围内有不同的简化形式。对于 r 、C 并联支路，当频率较低时可忽略 C ，当频率较高时可忽略 r 。分界频率 为 将 与 代入 中，得： 例 3.4 一个 β0 = 58 ，偏置于 VCE = 10V，IC = 10mA 的高频晶体管，其混合π参数为： 经计算可得 ： 对于直流状态或极低的频率，可以忽略所有的电容，当不考虑基极电阻时，得到相应的直流小信号等效电路为， 若忽略 ，可得简化的直流小信号混合π等效电路 2、T 形等效电路 略去 ro 与 C? 2 ， 再改画成共基极形式， 将电流源方向倒过来，并且将 gmVb’e 改写成 gmVeb’ ，得到： 将 e、c 之间的电流源转换成 e、b’ 之间和 b’ 、c 之间的两个电流源