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图 3-27 正交场平衡混频器结构图 正交场平衡混频器由混频腔、信号输入波导和本振输入波导三部分组成。信号和本振输入波导两者互相正交地连接到混频腔。混频腔是一段方波导,腔中心两个混频管串联地安装在一条轴上,两管连接处有一根与二极管轴线垂直的金属横杆(又称扰动杆),用以引出中频电流,并对本振电场分布起着微扰作用。两二极管的管帽与混频腔之间具有高频旁路电容,并由此引出整流电流(指示本振功率的大小)。每个管帽内部装有LC中频滤波器和直流电阻,用来滤除中频并提供直流偏压。在中频输出接头内加有高频扼流套,它是低通滤波器,用来防止高频进入中频电路。由图3-27可见,对于直流回路来说,两只混频管是串联的; 而对中频输出端来说,两只混频管是并联的。 这种混频器是本振反相型平衡混频器。因为信号波导的宽边与二极管轴线垂直,所以信号所产生的TE10波的电场方向与二极管轴线平行,于是加到两个二极管上的信号电压大小相等,方向相同,如图3-28(a)所示。本振输入波导的宽边与二极管轴线平行,如果腔内没有金属扰动杆的话,本振产生的电场将与二极管轴线垂直,但由于扰动杆的存在,本振电场将受到扰动而发生弯曲(因为场要垂直于导体表面),产生和二极管平行的电场分量。由于结构的对称性,本振电压是大小相等而反相地加在两个二极管上,如图3-28(b)所示。 图 3-28 混频腔内的电场分布 (a) 信号电场分布;(b) 本振电场分布 在正交场平衡混频器中,由于信号和本振的相位关系是依靠特定的空间电场分布来实现的,因此它是一种宽频带混频器。但由于使用了谐振腔,带宽要受到一定的限制,不能在很宽的频带内工作。 由于加入混频腔的信号和本振电场是相互垂直的,因而把这种混频器称为正交场混频器。 2. π/2(90°)相移型平衡混频器 1) 分支线平衡混频器 图3-29(a)所示的分支线耦合平衡混频器是一种90°相移型平衡混频器,其功率混合电路采用3 dB变阻定向耦合器,匹配电路和滤波电路与单端混频器相同。 图 3-29 π/2型微带平衡混频器 (a) 采用3 dB变阻定向耦合器;(b) 变阻定向耦合器各臂特性阻抗 在3 dB定向耦合器各端匹配的条件下,本振功率从端口②输入,信号从端口①输入,①端口到③、④端口的信号功率及②端口到④、③端口的本振功率都是功率平分而相位相差90°。 设信号从①、②端口加入时初相位都是0°,因传输路径相同不影响相对相位关系,故通过定向耦合器作用并注意到电路中二极管的接向后,加到VD1和VD2上的信号电压和本振电压分别为 (3-76) 可见,信号和本振部分分别以π/2相位差分配到两只二极管上,故称为π/2型平衡混频器。 二极管VD1和VD2在本振电压作用下所产生的时变电导为 (3-77) (3-78) 设ωSωL,ω0=ωS-ωL,通过VD1、VD2的电流和中频电流分别为 (3-80) (3-79) 可见,VD1和VD2产生的中频电流反相,因此输出到负载上的中频电流为任一二极管产生的中频电流的两倍,即 同反相型平衡混频器一样,分支线平衡混频器同样能消除本振调幅噪声,也能抑制由混频产生的部分无用的组合频率分量。 (3-81) 2) 平行耦合线平衡混频器 单端混频器的主要缺点之一就是由于输入定向耦合器的端口③接的是匹配负载,尽管耦合度较低,它仍会吸收一部分信号功率,同时浪费了本振功率。如果在这个端口不接匹配负载而接一个相同的混频二极管,并将耦合度设计为3 dB,使得分配到两个混频二极管上的本振功率和信号功率都相等,然后将两个二极管的混频结果同相相加,如图3-30所示。 图 3-30 90°相移型平衡混频器原理图 3.4.3 微波双平衡混频器 1. 基本双平衡混频器电路 为了进一步改善混频器的性能,又出现了一种双平衡混频器电路,即将四只二极管正负顺次相接,组成一个环路或二极管电桥,故又称为环形混频器。图3-31(a)所示为双平衡混频器低频电路:信号电压和本振电压加到两个平衡—不平衡变换器(简称巴仑),它们的次级与环形电桥相连,中频信号从变换器次级中心抽头引出。 图 3-31 双平衡混频器电路 (a) 低频电路;(b) 等效电路 当四个二极管特性相同时(配对),它们组成平衡电桥,电压加于对角端①、③两端,不会在另一对角端②、④两端出现。因此双平衡混频器具有固有的隔离度,而且工作频带很宽。下面定性地研究双平衡混频器的电流频谱。 设信号电压uS=US cosωSt,本振电压uL=UL cosωLt。若四个二极管特性相同且巴仑平衡,则每个二极管上的信号电压和本振电压都相等,其对应的相位如图3-31中的箭头所示。它们的混频电导也相
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