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因 所以 fT 可表为 对于 fa 500 MHz 的现代微波管，可忽略 ，这时 对于 fa 500 MHz 的晶体管，?ec 中以 ?b 为主，这时 可得 的关系曲线 也有类似的频率特性。 由 实际测量 fT 时，不一定要测到使 下降为 1 时的频率，而是在 的条件下测量 （ 可以大于 1 ），然后根据 ，即可得到 由于上式，fT 又称为晶体管的 增益带宽乘积。 高频管的工作频率一般介于 fβ 与 fT 之间。 3、特征频率的测量 4、特征频率随偏置电流的变化 小电流时,随着 IE 或 IC 的增大，?eb 减小，使 fT 提高，所以 fT 在小电流时随电流的增大而提高。但是当电流很大时，?eb 的影响变小，甚至可以略去。 大电流下，当基区发生纵向扩展 ?WB 时，使基区渡越时间 ?b 增加。同时，集电结势垒区厚度将减小 ?WB ，使集电结势垒区延迟时间 ?d 变小。但是 ?b 的增加要比 ?d 的减小大得多，所以 fT 在大电流时随电流的增大而降低。 此外，fT 随着 VBC 的减小而下降。这是因为 VBC 减小时集电结耗尽区变薄，CTC 增加，从而使 ?c 增加。 当 WB 较大， fT 较低时，提高 fT 的主要措施是减小 WB 。但当 WB 已很小时，仅靠减小 WB 来提高 fT 的作用就开始减弱。特别是当 WB 0.1 ?m 后，再减小 WB 几乎对提高 fT 不起多少作用，反而产生诸如提高 rbb’ ，降低 VA 等副作用。 3.8 电流放大系数与频率的关系 对高频信号进行放大时，首先用被称为 “偏置” 或 “工作点” 的直流电压或直流电流使晶体管工作在放大区，然后 把欲放大的高频信号叠加在输入端的直流偏置上。 当信号电压的振幅远小于（kT/q）时，称为 小信号。这时晶体管内与信号有关的各电压、电流和电荷量，都由直流偏置和高频小信号两部分组成，其高频小信号的振幅都远小于相应的直流偏置。各高频小信号电量之间近似地成 线性关系。 电流、电压和电荷量的符号（以基极电流为例） 总瞬时值： 其中的直流分量： 其中的高频小信号分量： 高频小信号的振幅： 由于各小信号电量的振幅都远小于相应的直流偏置，而且是叠加在直流偏置上的，所以可 将小信号作为总瞬时值的 微分来处理 。仍以基极电流为例，即： 或 随着信号频率 f 的提高， 和 的幅度会减小，相角会滞后。 以 分别代表高频小信号的发射结注入效率、基区输运系数、共基极和共发射极电流放大系数 ，它们都是复数。对极低的频率或直流小信号，即当ω → 0 时，它们分别成为 。 以 PNP 管为例，高频小信号电流从流入发射极的 ie 到流出集电极的 ic ，会发生如下变化： ie ipe ipc ipcc ic ie ic CTE CDE CTC 3.8.1 高频小信号电流在晶体管中的变化 3.8.2 基区输运系数与频率的关系 高频小信号基区输运系数的定义 基区中到达集电结的少子电流的高频小信号分量 ipc 与从发射结注入基区的少子形成的高频小信号电流分量 ipe 之比，称为高频小信号基区输运系数，记为 ，即： 基区输运系数随频率的变化主要由少子的基区渡越时间所引起。 (1) 复合损失使 的物理意义：基区中单位时间内的复合率为 ，少子在渡越时间 ?b 内的复合率为 ，因此到达集电结的未复合少子占进入基区少子总数 ，这就是 。这种损失对直流与高频信号都是相同的。 2、基区渡越时间 的作用 (2) 时间延迟使相位滞后 对角频率为ω 的高频信号，集电结处的信号比发射结处在相位上滞后ω?b ，因此在