孙景琪-单片机与嵌入式大赛基础知识部分赛点解析.pptVIP

教育部教育管理信息中心 教育部教育管理信息中心 教育部教育管理信息中心 WWW.CERN.NET.CN 教育部教育管理信息中心 WWW.CERN.NET.CN 第六届信息技术应用水平大赛电子信息技术基础知识部分比赛说明 教育部教育管理信息中心 大赛总体情况介绍 （电子信息技术部分） 大赛分个人赛和团体赛两部分 个人赛：单片机开发与应用技术大赛 嵌入式开发与应用技术大赛 团体赛：自由组队在大赛指定开发板上自主发挥创作作品，开发板有： 以C51F020芯片为控制核心的单片机开发板 以STM32F103X为控制核心的嵌入式开发板 个人赛分初赛、复赛、决赛三步完成 团体赛以提交作品形式完成，初审通过作品直接进入决赛 预赛安排 题型为是非题、选择题。 题量是70道，其中是非题40道，每道题1分；单选题30道，每道题2分，合计100分。 考试方式采用网络在线考试，系统自动阅卷，现场出成绩，但无法给出排名和进入复赛名单。 考试时间为100分钟。 考试日期：10月15日 考试地点：各参赛学校 个人赛介绍 复赛安排 题型为论述、设计、电路分析题等主观题。 题量为论述题4道，电路分析题2道、设计题1题。试卷满分为150分。 考试方式为计算机答题。 考试时间为3小时。 考试日期是11月5日 考试地点是大赛组委会联同各省赛区办公室指定的承办院校（详见大赛官方 网站） 个人赛介绍 决赛安排 题型为综合创新设计与操作题。 题量为1道设计与操作题，在大赛组委会特别开发的创新实践平台上完成电子系统的设计、安装、调试，并写出实践文档。考察综合运用基础知识的能力、综合设计能力、以及制作与调试等的动手能力和解决复杂问题的能力。试卷满分为120分。 考试方式为实验室实际操作。 考试时间为4小时。 考试日期为12月4日～5日 考试地点定于北京 个人赛介绍 个人赛介绍 考核内容概述 基础知识部分（相关专业必修课）： 基本元器件知识 基本电子电路知识（数电、模电等） 微机原理、接口电路与C语言 主要测量仪器和测量方法 印制板设计、电路安装与调测工艺 专业知识部分（单片机或嵌入式专业课） 单片机个人赛--- 单片机原理与应用 嵌入式个人赛--- 嵌入式原理与应用 注 ：考核中以前两部分的综合应用为主，无论初赛、复赛、决赛哪一环节所考知识点大多都是理论与实践相结合得来，特别是决赛部分。 团体赛介绍 团体赛概述 开发板说明： 开发板只提供最小系统，配电源，通电后整个系统可以跑通。 开发板分单片机和嵌入式两种控制芯片，考生自主选择，组委会按比例配送； 作品提交说明： 10月8日前报名结束、11月5日前作品寄出、11月15日公布入围决赛名单，12月4日到北京参加决赛。 初审评审标准： 先进性、创新性、实用性、结构合理性 决赛说明： 决赛部分由现场产品演示、现场答辩、现场实操考试三个环节组成 实操考试在指定创新实践平台上完成 。 本届师资班安排 24日上午：基础知识部分比赛说明---孙景琪 24日下午：单片机专业知识比赛说明---张子明 25日上午：团体赛及个人赛决赛比赛说明---吴勇 25日下午：嵌入式专业知识比赛说明---运文秀 26日全天：考核·交流---运文秀、吴勇 考试内容---基础知识部分 基本元器件 R.L.C－－特点、性能、标识、应用、元件上V与I的相位关系、元件的分压与分流 变压器－－种类、特点、电压、电流、阻抗之比 稳压二极管、变压二极管、发光二极管、光电二极管的工作条件与主要参数 BJT与FET的对比 β、 rbb’、Iceo 、 ?T、gm、Vp、VT等参量的含义与应用 输入特性、输出特性、传输特性的特点与应用等 考试内容---基础知识部分 基本电路与电路基本定律 基尔霍夫第一、第二定律、 戴维定理、叠加定理 四种滤波器－－低通、高通、带通、带阻 基本电路－－做耦合、滤波、微分、积分 如：要使输入方波不失真传至输出端，电路参数应如何选择？ RLC串联、并联电路 如图电路的分析： 电流、电压的失量关系； Uo1、Uo2、Uo的计算公式； 电路的选频曲线； Q值、通频带宽度的计算 R C Vi Vo R C Vi Vo 考试内容---基础知识部分 模拟电子电路－－基本放大电路 共e、共c电路为主，共b电路次之－－电路及电路特点，元件作用，输入/输出波形关系、应用、计算失真等 FET共源、共漏放大器的电路特点，与BJT放大器的性能对比。 Rs C1 Vi Vo Rb1 Rb2 Rc Re C2 Ce RL +Vcc C1 Vi Vo Rb Re C2 RL +Vcc 考试内容---基础知识部分 模拟电子电路－