mosfet结构及其工作原理详解.pdf

        1.MOSFET 的 工作原理    MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体），FET（Field Effect  Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O ）利用电场的效应来控 制半导体（S ）的场效应晶体管。    功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型（Metal  Oxide Semiconductor FET）,简称功率 MOSFET （Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般 称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT ）。其特点是用栅极电压来控制漏极 电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于 GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置。    2.功率 MOSFET 的结构和工作原理    功率 MOSFET 的种类：按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。按栅极电压幅值可分为； 耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于 N （P）沟道器件， 栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率 MOSFET 主要是 N 沟道增强型。    2.1.功率 MOSFET 的结构    功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图 1 所示；其导通时只有一种极性的载流子（多 子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率 MOS 管相同，但结构上有较大区别， 小功率 MOS 管是横向导电器件，功率 MOSFET 大都采用垂直导电结构，又称为 VMOSFET （Vertical MOSFET），大大提高了 MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。              功率 MOSFET 的结构图        按垂直导电结构的差异，又分为利用 V 型槽实现垂直导电的 VVMOSFET 和具有垂直导 电双扩散 MOS 结构的 VDMOSFET （Vertical  Double‐diffused  MOSFET），本文主要以 VDMOS 器件为例进行讨论。    功率 MOSFET 为多元集成结构，如国际整流器公司（International  Rectifier）的 HEXFET 采用了六边形单元；西门子公司（Siemens ）的SIPMOSFET 采用了正方形单元；摩托罗拉公 司（Motorola）的TMOS 采用了矩形单元按“品”字形排列。    2.2.功率 MOSFET 的工作原理    截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P 基区与 N 漂移区之间形成的 PN 结 J1 反偏，漏源极之间无电流流过。    导电：在栅源极间加正电压 UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的 正电压会将其下面 P 区中的空穴推开，而将 P 区中的少子—电子吸引到栅极下面的 P 区表面    当 UGS 大于 UT （开启电压或阈值电压）时，栅极下P 区表面的电子浓度将超过空穴浓 度，使 P 型半导体反型成 N 型而成为反型层，该反型层形成 N 沟道而使 PN 结 J1 消失，漏 极和源极导电。    2.3.功率 MOSFET 的基本特性    2.3.1 静态特性 MOSFET 的转移特性和输出特性。    漏极电流 ID 和栅源间电压 UGS 的关系称为 MOSFET 的转移特性，ID 较大时，ID 与 UGS 的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导 Gfs    MOSFET 的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于 GTR 的截止区）；饱和区（对应 于 GTR 的放大区）；非饱和区（对应于 GTR 的饱和区）。电力 MOSFET 工作在开关状态，