第23讲 TFT技术在LCD中的应用.ppt

有源矩阵液晶显示器种类 有源矩阵液晶显示器件的种类可分为三端有源和二端有源。三端有源又分为单晶硅(MOSFET)、TFT(非晶硅a-Si、多晶硅P-Si)；二端有源分为MIM、MSM、二极管环、背对背二极管、ZnO变阻器,其中以MIM即金属-绝缘体-金属二极管方式最为实用。 三端有源方式图像质量好，但是其工艺制作要复杂一些。而二端有源方式，工艺相对简单，开口率可以做的较大，袖珍式电视产品生产厂家一直对它看好。不过其图像质量比三端有源要稍差一些。 在三端有源方式中，以TFT为主流，而在TFT中又以a-Si为主流,它使液晶显示进入高画质、真彩色阶段。 何谓非晶态材料？ 非晶态物质是与晶体材料相对而言的。晶体材料中，原子按照一定的规则周期性排列，形成点阵结构；非晶态材料中，原子的排列没有规律，从长程看杂乱无章，但短程有序（或者更准确地说是微观区域内的局部有序），有时也称为无定形材料。玻璃就是一种典型的非晶态材料，非晶态半导体有时也称为玻璃态半导体。注意非晶体与多晶体的区别，二者不可混为一谈。多晶仍属于晶体材料。 单晶、多晶与非晶的区别 非晶：局部有序（个体有序），微观尺度，几个原子、分子尺度，一般只有十几埃至几十埃的范围； 多晶：短程有序（团体有序），成百上千个原子尺度，通常是在微米的量级； 单晶：长程有序（整体有序），宏观尺度，通常包含了整块固体材料。 非晶硅薄膜晶体管技术 MISFET（Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor）金属－绝缘层－半导体场效应晶体管的基本结构：（目前多为MOSFET，即绝缘层为二氧化硅，如下图所示） 非晶硅薄膜晶体管技术 对MOSFET的基本要求： （1）导通时的驱动电流ION要大：当VGSVT时，IDS越大越好，有利于提高电路的工作速度和频率； （2）关断时的泄漏电流IOFF要小：当VGSVT时，IDS越小越好，有利于降低电路的功耗； （3）制造工艺简单：利于不断缩小尺寸，提高集成度和良品率，降低生产成本； （4）可靠性高：利于器件长期、稳定、可靠地工作。 非晶硅薄膜晶体管技术 MOSFET的输出特性： 非晶硅薄膜晶体管技术 MOSFET的转移特性： 非晶硅薄膜晶体管技术 非晶硅（α-Si）TFT（Thin-Film Transistor）的结构： 非晶硅薄膜晶体管技术 非晶硅薄膜晶体管技术 非晶硅薄膜晶体管技术 工艺流程： 非晶硅薄膜晶体管技术 TFT由五道光罩制程制造;TFTarray材料组成 非晶硅薄膜晶体管技术 TFT-LCD显示面板的结构示意图 TFT-LCD制造技术 TFT-LCD制造技术 TFT-LCD制造技术 TFT-LCD制造技术 TFT-LCD制造技术 TFT-LCD制造技术 TFT-LCD制造技术 TFT-LCD制造技术 多晶硅薄膜晶体管技术 Poly-Si TFT的特点： 迁移率增大，输出驱动能增强，工作频率提高，易于实现驱动电路的一体化集成，整个系统的可靠性也得到提高； 可以采用自对准的器件结构，尺寸可比非晶硅TFT进一步缩小，从而有可能提高象素单元的开口率和显示器的分辨率； 制造工艺的复杂程度增加，目前要获得高品质的多晶硅薄膜材料，还需要600oC左右的高温工艺过程，一般只能在耐高温的石英玻璃衬底上实现。 多晶硅薄膜晶体管技术 主要工艺流程： 在石英玻璃衬底上淀积一层二氧化硅薄膜；再利用LPCVD方法淀积一层不掺杂的多晶硅薄膜并光刻、刻蚀形成器件有源区；生长或淀积二氧化硅栅介质；继续淀积多晶硅材料并光刻、刻蚀形成栅电极材料；离子注入形成器件源漏区；溅射金属并光刻、刻蚀形成源漏引线电极。 高温多晶硅薄膜晶体管技术（通常高于600oC） 高温多晶硅薄膜晶体管特性 低温多晶硅薄膜晶体管特性 塑料衬底上的低温多晶硅薄膜晶体管特性（大约在100oC左右） 主要的关键技术与难点 采用半自对准或全自对准结构的TFT器件工艺，缩小TFT器件尺寸，增大开口率，提高显示器件的分辨率； 采用TFT冗余备份结构，提高大尺寸TFTLCD显示器件的生产成品率； 采用智能化的驱动电路设计，降低TFTLCD显示器件的功率消耗； 采用智能化的信号处理电路设计，提高TFT-LCD显示器件的亮度。 采用催化淀积技术低温生长多晶硅薄膜：利用高温钨的催化作用，目前已经能够在衬底温度为400oC左右的条件下生长出质量良好的多晶硅薄膜； 采用非晶硅薄膜的激光快速退火再结晶技术形成多晶硅薄膜； 采用氢钝化工艺技术和自对准的LDD器件结构，降低多晶硅TFT的关态漏电流，同时提 高器件的输出驱