2009年报关员资格考试全真模拟题1.pptVIP

第五章 分子束外延 第五章 分子束外延--5.1引言 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, 简称MBE）是晶体薄膜的一种外延生长技术。是指在清洁的超高真空（UHV）环境下，使具有一定热能的一种或多种分子（原子）束流喷射到晶体衬底，在衬底表面发生反应的过程，由于分子在“飞行”过程中几乎与环境气体无碰撞，以分子束的形式射向衬底，进行外延生长，故此得名。 属于真空蒸镀方法，由美国Bell实验室的卓以和在20世纪70年代初期开创的。 第五章 分子束外延--5.1引言 可在多种半导体衬底上直接生长出外延层厚度、掺杂和异质界面平整度能精确到原子量级的超薄多层二维结构材料和器件，并通过与光刻、电子束刻蚀等工艺技术相结合或采用在一些特定衬底晶面直接生长的方法，还可制备出一维和零维的纳米材料等。 MBE不仅可以制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，还可以制备Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅳ族等材料以及金属和绝缘体薄膜等。 20世纪90年代，MBE在如何减少椭圆缺陷，克服杂质堆积、异质外延，调制掺杂，选择区域外延等方面都取得了重大的进步，技术日趋成熟，已走向生产实用化。 第五章 分子束外延--5.2 分子束外延的原理和特点 第五章 分子束外延--5.2 分子束外延的原理和特点 在超高真空（ 10-10Torr）系统中相对地放置衬底和多个分子束源炉（喷射炉），将组成化合物的各种元素和掺杂剂元素分别放