柠檬酸浓度对化学浴沉积硫化铟薄膜形成机理的影响研究.pdfVIP

第27卷第9期 无 机 化 学 学 报 V01．27No．9 201 OF 1685—1690 1年9月 CHINESEJOURNALINORGANICCHEMISTRY 柠檬酸浓度对化学浴沉积硫化铟薄膜形成机理的影响研究 汪 浩★’1 高志华1,2刘晶冰1 (1北京工业大学材料科学与工程学院，北京100124) (2衡水学院应用化学系，衡水053000) 摘要：以柠檬酸为配位剂，在酸性条件下采用化学浴沉积方法在FTO玻璃衬底上制得硫化铟薄膜，分别采用XRD、SEM、UV等 手段对薄膜相结构、形貌和薄膜的透光率进行了表征。结果表明薄膜为立方结构的肛In2s3，薄膜均一连续，呈网状表面形貌，透 光率随厚度增加而递减，带隙宽度介于2．5。2．6eV之间。主要研究了配位剂的浓度对薄膜形成机理的影响，结果表明：柠檬酸浓 度较低时，柠檬酸根与铟离子的配位平衡是整个反应的速控步骤；当柠檬酸浓度较高时，硫代乙酰胺与酸作用生成硫离子的反 应是整个反应的速控步骤。 关键词：化学浴；薄膜；硫化铟；柠檬酸；形成机理 中图分类号：0614．37 文献标识码：A 文章编号：1001-4861(2011)09-1685-06 EffectofConcentrationofCitricAcidontheFormationMechanismof ThinFilmChemicalBath In2s3 by Deposition GAOZhi·Hua啦LIU WANGHao+1 Jing-Bin91 (1CollegeofMaterialsScienceEngineering,BeijingUniversityofTechnology,可打皤100124,吼㈣ e【kpⅢ拥他毗ofApplyChemistry,HengshuiUniversi姆，Hengshui,Hebei053000,China) viachemical methodontllen’0 inthe Abstract：AseriesofIn2S3thinfilmswereobtained bath glass deposition acidic citricacidasthe were tocharacterize solution，witll agent．XRD，SEM，UVadopted phase complexing and transmissionofthethinfilms．neresultsindicatedthatallthethinfilmswere structure．morphologyoptical cube uniform，network-like offilmsWas the structured／3-In2S3，with morphology．Transmissionstep-down衍tII 2．5 of thicknessoffilms werecalculatedbe