不掺杂TiO2陶瓷的缺陷化学与气孔形成机理.pdfVIP

第21卷第6期 中国有色金属学报 2011年6月 、，ol21No6 TheChineseJournalofNonferrousMetaIs Jun201l 文章编号：1004-0609(2011)06—1380-09 不掺杂Ti02陶瓷的缺陷化学与气孑L形成机理 严继康1，2一，甘国友1，2一，袁君1，2一，杜景红1，2一，易健宏1，2，3 (1．昆明理工大学材料学院，昆明650093； 2．昆明理工大学有色及稀贵先进材料教育部重点实验室，昆明650093 3．昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室，昆明650093) 摘要：通过应用缺陷化学和材料检测手段对不掺杂Ti0：陶瓷气孔形成的机理进行研究。以锐钛矿Ti02粉体为 300、1 400℃ 350和1 原料，采用传统电子陶瓷工艺制备了不掺杂Ti02陶瓷，应用SEM、EDS和xPS测试在1 烧结的不掺杂TiO：陶瓷样品的显微结构、化学组成和离子价态；根据不掺杂Ti0：陶瓷晶粒的缺陷化学方程式和 电中性条件，计算Ti0：晶粒的缺陷浓度；基于点缺陷热力学方法，计算不掺杂Ti0：陶瓷晶界的氧空位分布。结 果表明：随烧结温度的升高，颗粒间的气孔逐渐减小，而晶粒中的气孔则逐渐长大，这是由于氧空位浓度随温度 的增加而增加引起的。不掺杂TiO：陶瓷的氧空位在晶界出现偏析行为，并随烧结温度的增加，晶粒中的氧空位浓 度和晶界氧空位浓度均随之增加。不掺杂Ti0，陶瓷中存在三价钛离子和晶界吸附氧，三价钛离子浓度和晶界吸附 氧含量随烧结温度的增加而增加。不掺杂Ti0，陶瓷晶粒和晶界中存在较多气孔，主要起源于高温烧结过程中晶格 氧的挥发和氧空位在晶界的偏析。 关键词：Ti0：陶瓷；缺陷化学；气孔；显微结构 中图分类号：TQl74 文献标志码：A Defect andformationmechanismof in chemistry pores ceramics Ti02 undoped Junl’2一，DU YAN脓an91，2一，GANGuo．youl，2一，YUAN Jillg-hon91，2一，YIJian-hon91，2’3 ofMaterialsScienceand ScienceaJld (1．School Engineering，KuIlIllingUnivers崎of Technology， K蚰ming650093，China； ofAdvanceMaterialsinRarcandPreciousaIldNonfcrrous 2．KeyLaboratory Metals， Scienceand 650093，China； Minist巧ofEducation，Kunmingunivers时of Tcchnology，Kunming Material