薄膜太阳能电池研究与发展现状答辩.pptVIP

薄膜太阳能电池的研究与发展现状 Research and development status of thin film solar cells ---陈刚祥 目录 1 2 3 4 前言介绍 结构和原理 现状和前景 分类和特点 第一章：前言 1.1 选题依据 1.2 薄膜太阳能电池所具有的优势 1.3 薄膜太阳能电池概述 1.1 选题依据 万物生长靠太阳。由于太阳能清洁安全、取之不竭，很多国家将目光投向了清洁的太阳能发电。国际能源署的报告显示，到2030年，全球电力需求将翻番。因此，采用太阳能等可再生能源发电无疑是有效的解决方法。目前，地球表面的太阳辐射高达12万太瓦（1太瓦等于100万兆瓦），其中600太瓦是可用的，而我们人类只需10太瓦就可以了。随着技术的改进、光转换效率的提高以及生产成本的下降，太阳能对未来能源的贡献将会进一步增加。 而低成本、轻质量、柔韧易加工性、可低成本大面积制备等突出优点，使得它具有很强的竞争力。 1.2 薄膜太阳能电池所具有的优势 目前硅系太阳能电池的成本主要消耗在价格昂贵的高纯硅材料上，其发展受到了一定的限制。而且硅系太阳能电池光电转换效率的理论极限值为25％，效率提高潜力有限。 而如今薄膜太阳能电池备受关注，其潜在的低成本、轻质量、柔韧易加工性、可低成本大面积制备等突出优点，使得它具有很强的竞争力。薄膜硅太阳能电池的厚度一般在几个微米，相对于厚度为200微米左右的晶体硅电池来说大大节省了原材料，而且薄膜硅太阳能电池的制程相对简单，成本较为低廉，因此在未来更具有发展前景。 1.3 薄膜太阳能电池概述 目前光电薄膜材料也很丰富，这些材料主要包括：Ge和si单晶以及以它们为基的掺杂体；化合物半导体有：CdS（硫化镉）、CaSe 硒化钙 、CdTe（碲化镉），ZnSe（硒化锌）、HgS（硒化汞）、HgTe（碲化汞），PbS（硫化铅），PbSe（硒化铅）、InP（磷化铟）、InAs（砷化铟），InSb（锑化铟）、GaAs（砷化镓），GaSb（锑化嫁）等。 目前薄膜太阳能电池按材料可分为硅薄膜型、化合物半导体薄膜型和有机薄膜型。 第二章.分类和特点 2.1 a-Si：H薄膜 2.2 Poly-Si薄膜 2.3 CIGS薄膜 2.4 GaAs薄膜 非晶硅薄膜是一种极有希望大幅度降低太阳电池成本的材料。非晶硅薄膜太阳能电池具有诸多优点使之成为一种优良的光电薄膜光伏器件。 1 非晶硅的光吸收系数大，因而作为太阳能电池时，薄膜所需厚度相对其他材料如砷化镓时，要小得多； 2 相对于单晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺简单，制造过程能量消耗少； 3 可实现大面积化及连续的生产； 4 可以采用玻璃或不锈钢等材料作为衬底，因而容易降低成本； 5 可以做成叠层结构，提高效率。 2.1 a-Si：H薄膜 2.2 Poly-Si薄膜 由于非晶硅薄膜太阳能电池的光致衰减效应 S-W效应 导致了非晶硅薄膜太阳能电池效率的衰减，因而多晶硅薄膜作为一种性能相对更好的材料应用于太阳能电池。多晶硅 poly-Si 薄膜是由许多大小不等、具有不同晶面取向的小晶粒构成的。 它在长波段具有高光敏性，对可见光能有效吸收，且具有与晶体硅一样的光照稳定性，因此被公认为高效、低耗的最理想的光伏器件材料。 多晶硅薄膜太阳电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳电池的激活层，不仅保持了晶体硅太阳电池的高性能和稳定性，而且材料的用量大幅度下降，明显地降低了电池成本。 2.3 CIGS薄膜 CIGS薄膜太阳能电池是一种具有高光电转换效率且成本较低的化合物薄膜太阳能电池。CIGS组成可表示成Cu In1-xGax Se2的形式，具有黄铜矿相结构，是CulnSe2和CuGaSe2的混合半导体。它是以铜铟镓硒为吸收层的高效率薄膜太阳能电池。 1、光电转化效率高 2、晶体结构和化学键稳定 3、可以在玻璃基板上形成缺陷少，高品质的大晶粒 4、制作过程中不存在污染性的化学物质 2.4 GaAs薄膜 GaAs是典型的III-V 族化合物半导体材料，具有直接能带隙，带隙宽度为1.42eV（300K），可以良好的吸收太阳光，因此，是很理想的太阳能电池材料。 特点： 1. 光吸收系数高。 2. 带隙宽度与太阳光谱匹配。 3. 耐高温性能好。 4. 抗辐照性能强。 5.电池的设计更为灵活 3.1 基本原理 3.2 主要结构 第三章：结构和原理 3.1 ? 基本原理 在光 包括不可见光 的照射下，物体发射电子的现象即使物质发生某些电性质的变化，就