工作日志-石佳光2012-08-03.doc

工作日志 日期 2012年8月3日 目标 1.查阅相关文献，掌握非真空发制备ITO薄膜的工艺，以及制备ITO薄膜所需的原料。 2.掌握影响ITO薄膜质量（光学、电学）的因素，并分析原因。 3.归纳现阶段所取得的成果，并进行比较后确定基本的实验方案。 结果输出 本周工作计划 周一：查阅非真空发制备ITO的文献，初步了解sol-gel制备ITO薄膜，掌握影响ITO薄膜质量的因素。 周二：查阅文献，整理现阶段ITO薄膜达到的效果，并整理成表格。周三：确定影响ITO薄膜光电性能的因素具体有哪些，并归纳其原因。周四：掌握sol-gel制备ITO薄膜的方法，确定其技术条件和原料。周五：整理相关数据，确定基本的实验方案，并对本周工作进行总结。 今日的主要工作内容 （对应的目标阶段） 归纳结论 存在的主要问题及解决办法 整理相关数据，确定基本的实验方案，并对本周工作进行总结。 1.实验原料汇总 1.1金属盐 (1)InCl3，InCl3﹒3.5H2O，InCl3﹒4H2O；In(NO3)3﹒3H2O，In(NO3)3﹒4.5H2O，In(NO3)3﹒5H2O (2)SnCl4，SnCl4﹒5H2O；SnCl2﹒2H20；Sn(CH3COO)4 1.2（99.99%）））乙酰丙酮(1)ITO溶胶制备: 根据掺杂Sn量的不同，让不同量的金属铟盐和金属锡盐分别溶解在相应的溶剂里（通常是有机溶剂），然后混合搅拌,加入一定量的稳定剂、成膜剂等后充分搅拌得到均匀的溶胶，根据需要可以进行一段时间的陈化处理。 (2)ITO薄膜制备: 得到ITO溶胶后根据需要采用不同的提拉或者转速制备ITO薄膜，并且根据质量的要求采用不同的热处理温度和热处理气氛，相关的研究表明，采用真空和N2/H2混合气体氛围中热处理时，ITO薄膜的可见光透过率和电阻率与在空气氛围内热处理相比，ITO薄膜的透过率要高，电阻率要小。 在制备多层的ITO薄膜时，每次镀膜后都要在一定温度（200-300?C）参考文献 透过率 方阻 工艺条件 溶胶-凝胶法制备的ITO薄膜电学及光学性能的研究（11） 85% 66Ω/□ 热处理温度550?C Sol-gel-prepared ITO films for electrochromic systems（5） 85% 100Ω/□ 热处理温度500?C，真空度为5.4*10-4托 溶胶-凝胶提拉法制备的ITO透明导电薄膜（13） 90% 110Ω/□ 热处理温度550?C，Sn掺杂量为12.5% Structural, electrical and optical analysis of ITO thin films prepared by sol–gel（10） 92.7% 167.3Ω/□ 热处理温度550?C,薄膜中In：Sn=90:10，薄膜厚度141nm Influence of temperature and layers on the characterizationof ITO films（1） 92% 241Ω/□ 热处理温度750?C Transparent conductive ITO thin films through the sol-gel process using metal salts（6） 85% 1.09*103Ω/□ 热处理温度400?C，薄膜厚度250nm，N2氛围 Preparation of ITO Thin Films by sol-gel Process and Tharacterizations(8) 大于80% 1400Ω/□ 薄膜厚度200nm，Sn含量为8%，热处理温度为550?C Highly transparent ITO thin films on photosensitive glass: sol–gel synthesis, structure, morphology and optical properties（2） 96% 4.02±0.02KΩ/□ 热处理温度550?C，薄膜厚度328nm 溶胶-凝胶法制备的ITO薄膜及光电性能的研究（12） 86.3% 小于10KΩ/□ Sn掺杂量为15%，热处理温度450?C 数据总结1（按方阻从小到大排列）参考文献 透过率 电阻率 工艺条件 Fabrication of indium–tin-oxide films by dip coating process using ethanol solution of chlorides and surfactants（4） 电阻率2.5*10-4Ω.cm 空气中热处理电阻率：2.0*10-3Ω.cm 薄膜厚度113nm，热处理温度600?C，气氛N2-0.1%H