金属基电子封装材料进展.pdfVIP

第 24 卷　第 2 期 兵器材料科学与工程 V o l. 24　N o. 2 200 1 年　　3 月 　　　　O RDNAN CE M A T ER IAL SC IEN CE AN D EN G IN EER IN G　　　　　M ar. 　200 1 金属基电子封装材料进展 刘正春　王志法　姜国圣 中南大学 摘　要: 对照几种传统的金属基电子封装材料, 较详细地阐述了 、 、 等新型封装材料的性能特 W Cu M o Cu SiC A l 点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态, 指出国际上近年来的研究 与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后, 文章对金属基电子封装材料 的发展趋势进行了展望, 作者认为, 未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发 展。 关键词: 电子封装; 复合材料; 膨胀系数; 热导率 中图分类号: T F 125. 7 , T G 139　　文献标识码: A 　　文章编号: 1004—244X 200 1 02—0049—06 表 1　 、 及几种传统封装材料的性能[4 ] [7 ] 　　金属基电子封装材料具有强度高、导电导热性 Si GaA s 能好等优点。因此, 它们与陶瓷基、树脂基封装材料 材　　料 CT E 热导率 密度- 3 · · ppm K W m K g cm 一样, 一直是电子工程师所青睐的热沉和支承材料, Si 4. 1 135 2. 3 广泛地应用于功率电子器件 如整流管、晶闸管、功 GaA s 5. 8 39 5. 3 率模块、激光二极管、微波管等 和微电子器件 如计 Invar 0. 4 11 8. 1 算机 、 芯片 中, 在微