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- 2017-09-23 发布于河南
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Al (Pt )/ Er O / Si 结构的FN 隧穿1
2 3
1,2 2 2 2 2
朱燕艳 ,陈圣 ,方泽波 ,廖灿 ,蒋最敏
1 上海电力学院,上海(200090 )
2 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海(200433 )
E-mail :yyzhu027@163.com
摘 要:对金属/Er O /Si 的FN 隧穿进行了研究。FN 隧穿是MOS 结构在高电场下的一种
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基本的隧穿过程,是在高电场下载流子遂穿过绝缘体的禁带到达其导带或价带的过程。在金
属/Er O /Si 结构中我们发现了FN 的空穴隧穿,通过FN 直线的斜率可以得到空穴的有效质
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量为0.05m 。
关键词:栅介质,高
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