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有源箱位软开关 摘要：从工程实际的角度介绍了DC/DC 技术的现状及发展，给出当今国际顶级DC/DC 产品的实用技 术、专利技术及普遍采用的特有技术。指出了半导体技术进步给DC/DC 技术带来的巨大变化。并指 出了DC/DC 的数字化方向。 关键词：有源箱位软开关 同步整流 级联拓朴 MCU 控制 高效率高功率密度DC/DC 分布式电源系统应用的普及推广以及电池供电移动式电子设备的飞速发展，其电源系统需用的 DC/DC 电源模块越来越多。对其性能要求越来越高。除去常规电性能指标以外，对其体积要求越来 越小，也就是对其功率密度的要求越来越高，对转换效率要求也越来越高，也即发热越来越少。这 样其平均无故障工作时间才越来越长，可靠性越来越好。因此如何开发设计出更高功率密度、更高 转换效率、更低成本更高性能的DC/DC 转换器始终是近二十年来电力电子技术工程师追求的目标。 例如：二十年前Lucent 公司开发出第一个半砖DC/DC 时，其输出功率才30W，效率只有78%。而如 今半砖的DC/DC 输出功率已达到300W，转换效率高达93.5%。 从八十年代末起，工程师们为了缩小DC/DC 变换器的体积，提高功率密度，首先从大幅度提高 开关电源的工作频率做起，但这种努力结果是大幅度缩小了体积，却降低了效率。发热增多，体积 缩小，难过高温关。因为当时MOSFET 的开关速度还不够快，大幅提高频率使MOSFET 的开关损耗驱 动损耗大幅度增加。工程师们开始研究各种避开开关损耗的软开关技术。虽然技术模式百花齐放， 然而从工程实用角度仅有两项是开发成功且一直延续到现在。一项是VICOR 公司的有源箝位ZVS 软 开关技术；另一项就是九十年代初诞生的全桥移相ZVS 软开关技术。 有源箝位技术历经三代，且都申报了专利。第一代系美国VICOR 公司的有源箝位ZVS 技术，其 专利已经于2002 年2 月到期。VICOR 公司利用该技术，配合磁元件，将DC/DC 的工作频率提高到1MHZ， 功率密度接近200W/in3，然而其转换效率却始终没有超过90%，主要原因在于MOSFET 的损耗不仅有 开关损耗，还有导通损耗和驱动损耗。特别是驱动损耗随工作频率的上升也大幅度增加，而且因1MHZ 频率之下不易采用同步整流技术，其效率是无法再提高的。因此，其转换效率始终没有突破 90%大 关。 为了降低第一代有源箝位技术的成本，IPD 公司申报了第二代有源箝位技术专利。它采用 P 沟 MOSFET 在变压器二次侧用于forward 电路拓朴的有源箝位。这使产品成本减低很多。但这种方法形 成的MOSFET 的零电压开关（ZVS）边界条件较窄，在全工作条件范围内效率的提升不如第一代有源 箝位技术，而且PMOS 工作频率也不理想。 为了让磁能在磁芯复位时不白白消耗掉，一位美籍华人工程师于2001 年申请了第三代有源箝位 技术专利，并获准。其特点是在第二代有源箝位的基础上将磁芯复位时释放出的能量转送至负载。 所以实现了更高的转换效率。它共有三个电路方案：其中一个方案可以采用N 沟MOSFET。因而工作 频率较高，采用该技术可以将 ZVS 软开关、同步整流技术、磁能转换都结合在一起，因而它实现了 高达92%的效率及250W/in3 以上的功率密度。（即四分之一砖DC/DC 做到250W 功率输出及92%以上 的转换效率） 我们给出三代产品的等效电路，读者可从其细节品味各自的特色。有关有源箝位技术近年论文 论述颇多，此处不多赘述。 全桥移相ZVS 软开关技术，从90 年代中期风靡大功率及中功率开关电源领域。该电路拓朴及控 制技术在MOSFET 的开关速度还不太理想时，对DC/DC 变换器效率的提升起了很大作用。但是工程师 们为此付出的代价也不小。第一个代价是要增加一个谐振电感。它的体积比主变压器小不了多少（约 1/2 左右），它也存在损耗，此损耗比输出滤波电感损耗也小不了太多。第二个代价是丢失了8~10% 的占空比，这种占空比的丢失将造成二次侧的整流损耗。所以弄得不好，反而有得不偿失的感觉。 第三，谐振元件的参数需经过调试，能适应工业生产用的准确值的选定是要花费较多的时间，试验 成本较高。此外，因同步整流给DC/DC 效率的提高带来实惠颇多，而全桥移相对二次侧同步整流的 控制效果并不十分理想。例如：第一代PWM ZVS 全桥移相控制器，UC3875 及UCC3895 只控制初级侧。 若要提供准确的控制同步整流的信号需另加逻辑电路。第二代全桥移相 PWM 控制器如 LTC1922-1、 LTC3722-1/-2，虽然增加了对二次侧同步