电场诱导硅纳米线的图案化排列及其应用研究.docVIP

  电场诱导硅纳米线的图案化排列及其应用 研究# * 5 10 15 20 25 30 35 40  摘要：本文使用由两片导电玻璃（ITO）构成的平行板电容器，将硅纳米线（SiNWs）在去 离子水中的分散液注入该电容器，并在其两端施加外加电场，SiNWs 选择性地沉积在底部 的 ITO 区域，从而在底部形成很大面积的均匀的硅纳米线图案化结构。通过对底面 ITO 表 面进行选择性光刻，可以控制得到相应硅纳米线图案的形状。同时，用同样的方法能够在硅 片基底上得到相应的 SiNWs 的图案，通过在所得图案的表面修饰 Ag 纳米颗粒，该基底能 够很好地用来检测罗丹名 6G（R6G）的表面增强拉曼光谱（SERS）的信号，且具有很强的 选择性和均一性。 关键词：硅纳米线；图案化；外加电场；表面增强拉曼光谱 中图分类号：O433 Formation of silicon nanowire patterns by electrical field and their applications ZOU Bin, ZHANG Xiujuan (Functional Nano Soft Materials Laboratory (FUNSOM) and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials Devices, Soochow University, Suzhou 215123) Abstract: We use two pieces of parallel ITO glass to construct a capacitor, where the SiNWs dispersed in deionized water is injected. When an external electrical field is applied between the capacitor, the SiNWs will selectively transfer into the ITO areas, forming large-scale uniform patterns of SiNWs. By manipulating the electrode geometries through photolithography, different patterns with shapes ranging from grid-like structures, circles and squares were readily obtained. By modifying the patterns with Ag nanoparticles, the structure can be served as the Surface-enhanced Raman Spectra (SERS) substrate for detection of R6G molecules with high selectivity and uniformity. Key words: Silicon nanowire; Patterning; External electrical field; Surface-enhanced Raman Spectra 0 引言 SiNWs 由于其优良的物理、化学性质使得其被广泛应用于各种光电器件及生物，化学 传感器[1,2]。SiNWs 的图案化对于其在大面积集成器件以及复杂电路中的实际应用有着举足 轻重的作用。传统的制备 SiNWs 的图案化结构的方法主要包括以下几种：通过对基底进行 单分子层的选择性亲水或者疏水修饰，通过提拉转移的方法可以使 SiNWs 选择性的转移到 基底的亲水区域[3]；通过对基底选择性修饰上带负电和电中性的单分子层，由于表面电荷的 作用，可以使分散在水中的 SiNWs 选择性地吸附到带有负电单分子层修饰的区域[4]。然而， 这两种方法在操作过程中都需要对基底进行单分子层修饰，操作过程复杂需要较长的时间， 另外，通过这两种方法得到的 SiNWs 的图案往往局限于某几种图案。因此，找到一种能够 快速简单地制备大面积均匀，同时能够得到任意图案的图案化 SiNWs 的方法显得尤为重要。 -1-   本文介绍一种用外加电场的方法来制备图案化 SiNWs 结构的方法。我们使用由两片 ITO 玻璃构成的平行板电容器，将 SiNWs 的分散液注入其中并在其两端施加一个外加电场。实 45 50 现发现，在外加电场的作用下溶液中的 SiNWs 会选择性地进入 ITO 区域。当图案形成时， 撤掉电场并用去离子水和丙酮冲洗掉样品表面的光刻胶后，SiN