MeV氧离子注入镁掺杂近化学剂量比铌酸锂制备平面光波导.docVIP

  MeV 氧离子注入镁掺杂近化学剂量比铌酸 锂制备平面光波导# 王磊，项炳锡* 5 （山东大学物理学院，济南 250100） 摘要：采用不同剂量的 4.5MeV 的氧离子注入镁掺杂近化学计量比铌酸锂形成平面光波导. 利用棱镜耦合方法和卢瑟福背散射/沟道技术测量波导暗模特性及离子注入产生的损伤。通 过一系列退火处理来研究形成的光波导的退火特性。 关键词：离子与固体相互作用；铌酸锂；离子注入；光波导 10 Planar waveguides in magnesium doped stoichiometric LiNbO3 crystals formed by MeV oxygen ion implantations Wang Lei, Xiang Bingxi (School of Physics, Shandong University,jinan 250100) 15 20 25 30 35 Abstract: The planar waveguides were formed in magnesium doped stoichiometric LiNbO3 crystals by means of 4.5 MeV oxygen ion implantations at different fluences. The dark mode spectra were measured by the prism coupling method. The annealing behaviors of the formed waveguides were characterized by a series of annealing treatments. The Rutherford backscattering/channeling technique was used to investigate the damage produced by the ion implantation. Key words: The interactions between ions and solid materials;Lithium niobate;Ion implantation; Waveguide 0 引言 铌酸锂波导器件具有光折变效应，在实际应用中会根据要求来降低或者增加光折变效应 的强度，这方面的研究一直吸引着国际学术界的兴趣[1-4]。在二次谐波的产生和其他的高强 度的波导应用中需要避免光折变（光损伤）效应，在这样的情况下降低光折变系数是非常重 要的[5]。 到目前为止，研究人员已经发现了数种方法来减少铌酸锂的光折变效应。金属元素，例 如锌或者镁可以在晶体生长过程中被掺杂到体材料中从而极大的降低光损伤阈值[6-8]。研究 者发现在质子交换同成分铌酸锂光波导中也具有极好的抗光折变能力[1,9]。与同成分铌酸锂 相比，近化学计量比铌酸锂（SLN）Li/Nb 接近 1。由于更完美的晶体结构，与光折变过程 有关的缺陷的密度也随之降低[10]，所以在镁掺杂的 SLN 中获得了更高的光损伤阈值[11]。 由于 Mg 掺杂 SLN 具有优良的性质，尤其是高光损伤阈值，所以我们需要研究就找到 一个可靠的方法在这种晶体上形成稳定的波导结构。质子交换方法会降低 Li 元素在近表面 区域（质子交换区域）的含量，所以这种方法并不适合。对于钛扩散方法，钛在 SLN 中的 扩散系数比在 CLN 中小得多，因此需要更多的时间来形成稳定的波导结构，而且在钛扩散 过程中 Li 外扩散会更加严重，从而降低 Li 的含量进而降低波导区域的性能。 此前的研究表明离子注入，尤其是中等质量离子注入是在一系列衬底上形成波导的另一 基金项目：高等学校博士学科点专项科研基金（编号 200804221001） 作者简介：王磊（1980），男，副教授，研究方向：离子与固体的相互作用. E-mail: leiwangsdu@sdu.edu.cn -1-   40 45 50  种方法[12-18]。我们利用 4.5MeV 能量的氧离子注入到 Mg 掺杂 SLN 晶体上形成光波导，本 文还包括形成的平面波导的暗模特性和退火特性研究。 1 实验方法和细节 实验采用 z 切 Mg 掺杂 SLN 晶体，样品由南开大学提供。此 SLN 样品是在 Mg 掺杂 CLN 衬底上采用气相输运平衡法制备。新样品经过抛光，切成 5×10×1mm 的片。与 CLN 相比， 在 632.8nm 下的异常光折射率降低到 2.1886（1539nm 为 2.1264），寻常光折射率几乎没有 变。这个结果与此前的研究结果符合较好[14]。 氧离子注入是在北京大学串列加速器上进行的，表 1 列出