小功率调幅发射机设计辅导.pptVIP

小功率调幅发射机 理论设计辅导;一、单元电路 1.LC三点式晶体三极管振荡器 2.缓冲隔离级 3.晶体三极管调幅电路 4.小信号谐振放大器（略） 5.匹配网络（略） 二、调幅发射机系统电路;LC三点式 晶体三极管振荡器 ;LC振荡器的设计;2、晶体管选择 从稳频的角度出发，应选 。 同时希望电流 放大系数大些，这既容易振荡，也便于减小晶体管和外来之耦 合。虽然不要求振荡器中的晶体管输出多大功率，但考虑到稳 频等因素，晶体管的额定功率也应该有足够的余量。 3.直流馈电线路的选择 为保证振荡器起振的振幅条件，起始工作点应设置在线性 放大区；从稳频出发，稳定状态应在截至区，而不应在饱和， 否则回路的有载品质因数将降低。所以，通常应将晶体管的静 态偏置点设置在小电流区，电路应采用自偏置。对于小功率晶 体管，集电极静态电流约为1～4mA。;4．振荡回路元件选择 从稳频出发，振荡回路电容C应尽可能大，但 C 过大，不利于波段工 作；电感L也应尽可能大，但L大后，体积大，分布电容大，L过小，回路 的品质因数过小，因此应合理地选择回路地C、L。在短波范围，C一般取 几十至几百皮法，L一般取0.1至几十微亨。 5.反馈回路元件选择 由前述可知，为了保证振荡器有一定的稳定振幅以及容易起振，在静态 工作点通常应选择。 当静态工作点确定后， 的值就一定，对于小功率管可近似为： 反馈系数的大小应在F = 0.1～0.5范围选择。;实际振荡电路 1、Clapp振荡器;2、Seiler振荡电路 ;缓冲隔离级电路的设计;电压放大倍数AV为 式中，gm——晶体管的跨导，一般情况下 。所以，图2所示射极输出器具有输入阻抗高、输出阻抗低、电压放大倍数近似等于1的特点。晶体管的静态工作点应位于交流负载线的中点，一般取 ，ICQ=3～10mA. 对于如图1所示电路，取VCEQ=6V，ICQ=4mA，若晶体管的电流放大倍数 β=60 ， 则 RE1+RE2 = VEQ/ICQ =1. 5kΩ，取RE1=1kΩ的电阻，RE2=1kΩ的电位器。IRB≈10IBQ，IBQ=ICQ/β， ;估算功率激励级的输入阻抗为335Ω，即射随器的负载电???RL=335Ω，并可计算出射随器的输入电阻Ri，即 Ri=RB’ //βRL’≈3.6kΩ?输入电压Vi为????为减小射随器对前级振荡器的影响，耦合电容C1不能太大，一般为数十皮法。C2为0.022μF左右。;晶体三极管 调幅电路  ; AM 信号的产生可以采用高电平调制和低电 平调制两种方式完成。目前，AM 信号大都用于 无线电广播, 多采用高电平调制方式。 高电平调制是在高频功率放大器中进行的。 通常分为基极调幅、集电极调幅以及集电极基极 (或发射极)组合调幅。P216 ; 1.集电极调幅电路 ;2.集电极调幅的波形 （工作在过压区）;3.基极调幅电路 ; 4.基极调幅的波形（工作在欠压区） ;5.集电极、发射极双重调幅电路 调制电压经变压器同时加到集电极和发射极，注意变压器的同名端，在调制电压正半周，虽然集电极电源电压降低，但基极偏压也随之变负，不致进入强过压区，在调制过程中也是保持在临界—弱过压状态工作，从而可以使调制特性得以改善。 ;6.集电极—发射极双重调制（具体电路） 如果发射机的级数较少，主振器的输出直接用来推动未前级，则两级集电极调制可能影响到主振器的频率稳定度。这时往往采用集电极—发射极（基极）调制，典型的例子见下图。; 必须注意，B1次级两个绕组的相位不能接反，不然将引起正反馈，造成放大器自激振荡。如果接法正确，则加在发射极和集电极的调制电压是同相的， 它们对集电极的电流控制作用相同。这样， 可以提高调制效率（加深调制度）和减小非线性失真。 由于被调管是在低电压电路状态下工作，所以要求所有的去耦元件和变压器的直流电阻都应尽可能小，以提高整机效率。 应该说明，为便于散热，3DA76集电极也是接地的，但它对于载波频率来说，是共发射极电路；而对于调制频率来说，却又是共基极电路。;调幅发射机系统 参考电路 ;振幅调制参考电路（一）;电路改进方案;振幅调制