电子技术基础模拟电子技术.pdfVIP

电子技术基础—模拟电子技术 策划监制:吴子忠 主编:吴为民 编辑:邓盈、余能辉 2006 年 7 月 1 2 第一章 基本半导体分立器件 1.1 半导体的基本知识与PN结 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体三极管 1.5 场效应晶体管 3 1.1 半导体的基本知识与PN结 1.1.1 半导体的基本特性 1.1.2 本征半导体 1.1.3 杂质半导体 1.1.4 PN结的形成与单向导电性 4 1.1.1半导体的基本特性 -4 导体：电阻率小于10 Ω.cm，很容易导电，称 为导体.如铜、铝、银等金属材料； 10 绝缘体：电阻率大于10 Ω.cm，很难导电，称 为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料； -3 9 半导体：电阻率在10 ~10 Ω.cm，导电能力介 于导体和绝缘体之间，例如硅(Si)和锗(Ge)等 半导体材料； 5 半导体材料制作电子器件的原因? 不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间， 而是在于半导体材料具有热敏性、光敏性和掺 杂性。 6 半导体材料制作电子器件的原因? 1、热敏性：是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加， 例如纯净锗从20℃升高到30℃时，电阻率下降为原来的 1/2； 2、光敏性：半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特 性；例如硫化镉薄膜在暗处：电阻为几十MΩ。光照：电 阻下降为几十KΩ 3、掺杂性：是半导体导能力，因掺入适量的杂质而发生很大 的变化，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼杂质， 电阻率下降到原来的几万分之一，利用这一特性，可以制 造出不同性能不同用途的半导体器件。 7 1.1.2 本征半导体 硅(锗)的原子结构 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 硅 锗 硅(锗)的原子结构简化模型 8 1.1.2 本征半导体 1、本征半导体的原子 结构 把非常纯净的原子结构 排列非常整齐的半导体 称为本征半导体。 9 1.1.2 本征半导体 1、本征半导体的原子结构——共价键结合，以硅原子为例 A．硅原子电子数为14，最外层 共价键 电子为四个，是四价元素 +4 +4 +4 B、硅原子结合方式是共价键 结合： +4 +4 +4 (i)每个价电子都要受到相邻 两个原子核的束缚;