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PCBA不良分析工具与规格介绍--电子器件焊接技术.ppt

PCBA不良分析工具与规格介绍--电子器件焊接技术.ppt

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* Issue by: Alan Chiu Oct.10 ’02 1.將要觀察之物品放置於平台上. 2.調整適當倍率及焦距至最清晰畫面. 3.使用360°旋轉鏡頭觀察該物品之狀態. 使用步驟: 300X顯微鏡(300X Microscope) 應用範圍(分析): 1.零件吃錫面高度判定. 2.空,冷焊判定. 3.異物辨識與錫珠辨識. 4.零件破裂情況觀察. 5.其他. 判斷案例: 300X顯微鏡(300X Microscope) 異物介入 零件腳不吃錫 吃錫不良 良品 1.吃錫面高度需高於25%. 2.錫珠大小需小於18um,同一板上不得大於7顆. 3.零件不可有破損. 4.不可有爐膛助焊劑滴落板上與棉絮殘留等異物. 5.其他依外觀檢驗標準. 判定規格: 300X顯微鏡(300X Microscope) 備註: 1.可依需求選擇使用平面鏡或側視鏡. 1.先使用336A清潔機板(BGA間距內)上之助焊劑殘留物. 2.將待測物灌入(BGA gap)適量紅墨水. 3.確認紅墨水已完全滲入間隙中後再將待測物放入烤箱烘烤(以120℃約60min). 4.以鉗子將BGA強制拆除. 5.使用300X顯微鏡觀察PCBBGA的相對應pad是否有紅墨水滲入,若有即表示該接合點有crack或空焊. 使用步驟: 紅墨水試驗 應用範圍(分析): 1.零件(BGA)接合面crack. 2.零件(BGA)接合面空焊. 紅墨水試驗 判斷案例: Crack 焊接不確實 紅墨水試驗 若有紅墨水滲入PCB BGA的相對應pad即表示該接合點有crack或空焊現象. 判定規格: 備註: 此工具運用於Fiber Inspection ,X-Ray無法觀察到異常,而又無法確認異常點是在那一個pad時. 1.將壓克力粉與硬化劑以1 : 1比率適量攪拌. 2.將待測物以壓克力夾夾住並放置在盒內. 3.將攪拌均勻之壓克力劑適量倒入盒內,約等30min待其固化再取出. 4.再將待測物由研磨機磨至不良點(經由粗磨--細磨--拋光). 使用步驟: 切片( Cross section ) 應用範圍(分析): 1.Crack(BGA接合面,零件腳,零件內部). 2.空焊(BGA內部錫球接合面). 3.Cold Solder(BGA內部錫球接合面). 4.各零件腳接合面觀察. 判斷案例: Crack 良品 切片( Cross section ) 切片( Cross section ) 1.此工具是在確定不良點時,再研磨至該不良點,用以確認其實際不良原因,輔助對策之下達. 判定規格: 備註: 常配合SEM EDS使用. SEM EDS 目前廠內無此儀器,若有需求時以送外分析方式進行. 1.先以SEM取得適當之倍率,確定不良物位置(可量測不良點大小). 2.以游標點選測試不良點位置進行表面EDS量測. 使用步驟: 應用範圍(分析): 1.SEM:觀測被測物表面上之細微異常現象. 2.EDS:測試被測物體表面元素與含量分析(例如用於零件pad或PCB pad不吃錫使用). SEM EDS 判斷案例: SEM EDS SEM EDS 1.取良品與不良品同時做此較測試,觀察其測試結果之元素含量是否有異. 2.確認所測得之元素比率是否有超出標準或含有異常成分,若有即表示異常. 判定規格: 側邊顯微鏡 (Fiber Inspection) 1.調整鏡頭高度至PCB BGA substrate間距之間. 2.調整光源與焦聚使畫面達到最清晰為止. 3.移動鏡頭時需將鏡頭上升再移動,以防止鏡頭損壞. 4.觀察BGA四周是否有crack時,須配合使用尖銳物輕微將BGA substrate翹起才可看到Crack. 使用步驟: 應用範圍(分析): 1.solder joint(錫球焊接面好壞判斷). 2.空,冷焊及短路判斷. 3.Crack判斷. 4.異物介入(判斷是否有異物或助焊劑過多). 側邊顯微鏡 (Fiber Inspection) 判斷案例: Crack 良品 側邊顯微鏡 (Fiber Inspection) 1.錫球與PCB錫膏有接觸但未接合,且表面不平(cold solder). 2.接合面間有污染物. 3.solder ball與PCB(or BGA) pad撥離(crack). 判定規格: 備註: 1.Fiber Inspection只能看到外圈錫球的接合狀況, 若為內部接合問題需使用其他工具. X-Ray 1.將待測物放入機台平台(若有需要旋轉時需固定). 2.調整power X-Ray head高度. 3.選擇Solder Ball中最大Void並量測其面積. 使用步驟: 應用範圍(分析): 1.檢視BGA短路. 2.檢視Solder Ball的Void. 3.若為

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