半导体二极管原理.pptVIP

* 三、半导体二极管 三、半导体二极管 1、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 P N （1）二极管的电路符号： 按结构分：面结合型，点接触型，平面型。 按用途分：整流二极管，检波二极管， 稳压二极管，……。 按材料分：硅二极管，锗二极管。 （2）分类 ① 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 1、基本结构 （2）分类 三、半导体二极管 ③ 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 ② 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 1、基本结构 （2）分类 三、半导体二极管 （3）半导体二极管图片 1、基本结构 三、半导体二极管 1、基本结构 （3）半导体二极管图片 三、半导体二极管 1、基本结构 （3）半导体二极管图片 三、半导体二极管 2、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.4V,锗管0.1V。 反向击穿电压UBR 加到二极管两端的电压与流过二极管的电流的关系曲线──二极管的伏安特性曲线。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 三、半导体二极管 U I 特征 （1） 二极管的伏安特性曲线都是从坐标原点开始的。 （2）正向偏置电压需要达到一定的数值电流才开始显著上升，这个电压称为门限电压或接通电压。UON UON≈ 0.4v 硅管 0.1v 锗管 锗管的UON是硅管的约三~四分之一，这是硅管与锗管的明显区别之一。 2、伏安特性 三、半导体二极管 特征 （3） 二极管正常工作时，其正向压降为： 0.6～0.8V 硅管 0.1～0.3V 锗管 （4）硅管的上升部分比锗管陡一些。 （5）电流与电压的关系是非线性的。 U I IS 2、伏安特性 三、半导体二极管 （6）加反向电压时，最初随着反向电压的增加电流增加。到一定值以后反向电流几乎不随电压的增加而增加。这时的电流──反向饱和电流（IS）。它主要与环境温度有关（T↑→IS↑）。 U I 特征 （7）反向电压继续增加到一定值以后，反向电流开始剧烈增加。这时二管被击穿。 U I － － － + + + P N － － － + + + 2、伏安特性 三、半导体二极管 特征 （8）温度对二极管特性的影响 二极管的特性对温度很敏感 T↑→正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。 U正=-2~2.5mA/℃ IR=1倍/10℃ U I 2、伏安特性 三、半导体二极管 *