霍尔传感器培训课件.ppt

5.1 霍尔效应及霍尔元件 5.2 霍尔元件测量误差及补偿 第5章 霍尔式传感器 * 第5章 霍尔式传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。   1. 霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体, 当它的电流方向与磁场方向不一致时, 载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势, 这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。 图 5-1 所示, 在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板, 导电板通以电流I, 方向如图所示。导电板中的电流是金属中自由电子在电场作用下的定向运动。此时, 每个电子受洛仑磁力fm的作用，fm大小为  fm =eBv （ 5-1） 式中: e——电子电荷;  v——电子运动平均速度;  B——磁场的磁感应强度。 fm的方向在图 5-1 中是向上的, 此时电子除了沿电流反方向作定向运动外, 还在fm的作用下向上漂移, 结果使金属导电板上底面积累电子, 而下底面积累正电荷, 从而形成了附加内电场EH, 称霍尔电场, 该电场强度为 EH= （5-2） 式中UH为电位差。霍尔电场的出现, 使定向运动的电子除了受洛仑磁力作用外, 还受到霍尔电场的作用力, 其大小为eEH，此力阻止电荷继续积累。 随着上、下底面积累电荷的增加, 霍尔电场增加, 电子受到的电场力也增加, 当电子所受洛仑磁力与霍尔电场作用力大小相等、 方向相反时, 即 eEH=evB （5-3） 则  EH=vB （5-4） 此时电荷不再向两底面积累, 达到平衡状态。  若金属导电板单位体积内电子数为n, 电子定向运动平均速度为v, 则激励电流I=nevbd, 则  v= （5-5） 将式（5-5）代入式（5-4）得  EH= （5-6） 将上式代入式（5-1）得  UH = （5-7） 式中令RH =1/（ne）, 称之为霍尔常数, 其大小取决于导体载流子密度，则  UH =RH （5-8） 式中KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度。由式（5 - 8）可见, 霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度, 霍尔元件常制成薄片形状。 对霍尔片材料的要求, 希望有较大的霍尔常数RH, 霍尔元件激励极间电阻R=ρL/（bd）, 同时R=UI/I=EIL/I=vL/（μnevbd）, 其中UI为加在霍尔元件两端的激励电压，EI为霍尔元件激励极间内电场，v为电子移动的平均速度。 则  (5-9) 解得  RH=μρ （5-10） 从式（5-10）可知, 霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。若要霍尔效应强