氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展.PDFVIP

氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展 ／张亚萍等 ·1 · 氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展 张亚萍，潘礼庆 (北京科技大学物理系，北京 100083) 摘要 以氧化物宽禁带半导体为基体，通过掺杂磁性元素，可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体，利用这些 铁磁性半导体，能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上，构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体 材料在 自旋电子学中的重要作用，近年来受到广泛的关注。简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况；分 析了制备条件对其磁性的可能影响；重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型，包括双交换机制、磁极化子模 型、RKKY模型等；比较了2种磁极化子理论模型，并对这些模型的适用范围进行了分析讨论。另外，还介绍了该体 系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等。 关键词 氧化物稀磁半导体 双交换机制 磁极化子模型 RKKY 输运性质 TheoreticalandExperimentalResearch ProgressofOxide DilutedM agneticSemiconductors ZHANG Yaping，PAN Liqing (DepartmentofPhysics，UniversityofScienceandTechnologyBeijing，Beijing100083) Abstract Oxidedilutedmagneticsemiconductors(ODMSs)haveattractedagreatdealofinterestinrecent yearsduetothepossibilityofinducingnonmagneticsemiconductorsintoroom temperatureferroma gnetism bydoping magneticelements．Ferromagneticsemiconductorspromiseefficientspininjection，transportandpotentialseamlessin— tegrationwithcurrentsemiconductortechnology．Theresearch progressofODMS in experimentand theoryisde— scribedinthisreview．Theferromagneticmechanismsincludingdoubleexchange，boundma gneticpolaron，RKKY are introducedindetail；thetechniquefortheobservationofthemicrostructuralpropertiesofODMSwhichisimportantto understandtheoriginofferromagnetism isincluded；theothertwoimportantaspectsofODMS，transportandanoma— lousHalleffect，arealsointroduced． Keywords oxidedilutedma gneticsemiconductors，doubleexchange，boundma gneticpolaron，RKKY，trans— portproperty 与形成载流子的杂质能带的自旋分裂相关联；可 以选择 n型 0 引言 和P型掺杂；高的迁移率和 自旋散射长度；具有磁光效应和 作为 自旋电子材料 的一个重要组成部分 ，稀磁半导体