模拟电路课件讲义5_场效应管放大电路.pptVIP

P 沟道场效应管 图 P沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S MOSFET符号 增强型 耗尽型 N沟道 G S D P沟道 G S D G S D G S D JFET符号 d g s d g s 耗尽型 场效应管放大电路的三种组态 场效应管放大电路 根据场效应管在放大电路中的连接方式，场效应管放大电路分为三种组态：共源极电路、共栅极电路和共漏极电路 共源极电路： 栅极是输入端，漏极是输出端，源极是输入输出的公共电极。 共栅极电路： 源极是输入端，漏极是输出端，栅极是输入输出的公共电极。 共漏极电路： 栅极是输入端，源极是输出端，漏极是输入输出的公共电极。 场效应管放大电路的三种组态 场效应管放大电路 由于场效应管与BJT晶体管都有三个电极，FET管的 G极对应BJT管的b极、D极对应c极、S极对应e极 在放大电路中，共源对应共射、共栅对应共基、共漏对应共集。 以下分析均以N沟JFET为例，JFET由于不加栅源电压时沟道已存在，所以JFET均属于耗尽型FET。 * 1 场效应管的基本问题（自学） 2 场效应管放大电路 3 各种放大器件电路性能比较 场效应管根据结构不同分为哪两大类？ 何谓耗尽型？何谓增强型？VP夹断电压和VT开启电压分别是何种类型场效应管的重要参数之一？ 场效应管有哪三个电极？和BJT管如何对应？ 场效应管的两个电压VGS和VDS分别起何主要作用？ 场效应管输出特性曲线分为哪几个区？作放大时工作在哪个区？为什么？ 场效应管是双极型 ？单极型？电压控制器件还是电流控制器件？它的输入电阻如何？（与BJT对比） 根据场效应管特点作放大时，应如何合理设置Q点？ 场效应管是电压控制器件。 它具有输入阻抗高，噪声低的优点。 本章是本课程的难点，但不是本课程的重点。 由于学时数少，又因为场效应管放大电路与三极管放大电路有许多相同之处，所以，本章学习采用对比学习法，即将场效应管与三极管放大电路比较，了解相同点，掌握不同点。 三极管特点 电流控制器件（基极电流控制晶体管导电能力） 输入阻抗不高 双极型器件（两种载流子：多子少子参与导电） 噪声高 场效应管特点 电压控制器件（用电压产生电场来控制器件的导电能力）故称为Field Effect Transistor 输入阻抗极高 单极型器件（一种载流子：多子参与导电） 噪声小 缺点速度慢 图解法，估算法，微变等效电路法 三极管 场效应管 三极管放大器 场效应管放大器 分析方法 分析方法 　场效应三极管（FET） 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管（MOSFET） 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高；（≥107～1015?） 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、噪声低、成本低等。 N沟道（相当于NPN） P沟道（相当于PNP） 增强型 耗尽型 N沟道（NPN） P 沟道 （PNP） N沟道（NPN） P沟道 （PNP） （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 FET分类： MOSFET符号 增强型 耗尽型 N沟道 G S D P沟道 G S D G S D G S D JFET符号 d g s d g s 耗尽型 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有 导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有 导电沟道 N沟道 MOSFET 耗尽型 增强型 P沟道 N沟道 P沟道 绝缘栅型场效应管的类别 5.1 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，在使用中若要求输入电阻更高，仍不能满足要求。绝缘栅型场效应管又称为金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）具有更高输入电阻，可高达1015 W。且有制造工艺简单、适于集成等优点。 增强型MOS管在vGS=0时，无导电沟道。 耗尽型MOS管在vGS=0时，已有导电沟道存在。 P N+ S G D N+ 以P型半导体作衬底 形成两个PN结 SiO2保护层 Al金属电极 从衬底引出电极 两边扩散两个高浓度的N区 Al金属电极 Al金属电极 5.1.1 N沟道增强型MOSFET P N+ S G D N+ 半导体 Semiconductor 氧化物 Oxide 金属 Metal 表示符号 G S