半导体器件物理第二章--PN结.pdf

半导体器件物理 第二章 P-N结 科学出版社 高等教育出版中心 引言 • PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金 属－半导体接触器件外，所有结型器件都由PN 结构成。PN结本身也是一种器件－整流器。PN 结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理 是学习其它半导体器件器件物理的基础。 • 由P型半导体和N型半导体实现冶金学接触（原 子级接触）所形成的结构叫做PN结。 • 任何两种物质（绝缘体除外）的冶金学接触都 称为结（junction）,有时也叫做接触（conta ct）. 2010-1-5 科学出版社 高等教育出版中心 2 引言 • 由同种物质构成的结叫做同质结（如硅）。 • 由不同种物质构成的结叫做异质结（如硅和锗） • 由同种导电类型的物质构成的结叫做同型结（如P- 硅和P-型硅、P-硅和P-型锗）。 • 由不同种导电类型的物质构成的结叫做异型结（如 P-硅和N-硅、P-硅和N－锗）。因此PN结有同型同质 结、同型异质结、异型同质结和异型异质结之分。 • 广义地说，金属和半导体接触也是异质结，不过为 了意义更明确，把它们叫做金属－半导体接触或金 属－半导体结（M-S结）。 2010-1-5 科学出版社 高等教育出版中心 3 引言 • 70年代以来，制备结的主要技术是硅平面工艺。硅平 面工艺包括以下主要的工艺技术： • 1950年美国人奥尔（R.Ohl）和肖克莱(Shockley)发明 的离子注入工艺。 • 1956年美国人富勒（C.S.Fuller）发明的扩散工艺。 • 1960年卢尔（H.H.Loor）和克里斯坦森(Christenson) 发明的外延工艺。 • 1970年斯皮勒（E.Spiller）和卡斯特兰尼(E.Castell ani)发明的光刻工艺。正是光刻工艺的出现才使硅器 件制造技术进入平面工艺技术时代，才有大规模集成 电路和微电子学飞速发展的今天。 • 上述工艺和真空镀膜技术，氧化技术加上测试，封装 工艺等构成了硅平面工艺的主体。 2010-1-5 科学出版社 高等教育出版中心 4 氧化工艺： 1957年人们发现硅表面的二氧化硅层具有阻止杂质向硅内扩散的 作用。这一发现直接导致了硅平面工艺技术的出现。 在集成电路中二氧化硅薄膜的作用主要有以下五条： （1）对杂质扩散的掩蔽作用； （2）作为MOS器件的绝缘栅材料； （3）器件表面钝化作用； （4）集成电路中的隔离介质和绝缘介质； （5）集成电路中电容器元件的绝缘介质。 硅表面二氧化硅薄膜的生长方法：热氧化和化学气相沉积方法。 2010-1-5 科学出版社 高等教育出版中心 5 扩散工艺：由于热运动，任何物质都有一种从浓度高处向浓度低 处运动，使其趋于均匀的趋势，这种现象称为扩散。 常用扩散工艺：液态源扩散、片状源扩散、固-固扩散、双温区 锑扩散。 液态源扩散工艺：使保护气体（如氮气）通过含有扩散杂质的液 态源，从而携带杂质蒸汽进入高