基于GMI效应的高斯计的实现毕业设计（论文）.docVIP

基于GMI效应的高斯计的实现 摘 要：针对以非晶丝作为敏感元器件研制的磁敏传感器具有高灵敏度，快速响应等特点。利用非晶丝的GMI效应，通过弱磁场感应电路、放大和提取电路、A／D转换和终端显示电路，将弱磁场转化为直观可视的数据显示，并最终产品化为一种新型高斯计。实验结果表明，这种新型高斯计的灵敏度为18mV／~zT，最小分辨率为100nT，非线性误差为0．76％F．S，它在测量地磁方面有很好的应用前景。 关 键 词：非晶丝；巨磁阻抗效应；弱磁场；高斯计 Im plementation of gauss m eter based on Giant magneto-impedance effects GAO Peng-jian，TENG Gong—qing (School of Applied Sciences，Beijing Information Science and Technology University，Beijing 100192，China) Abstract： For the amorphous wire as sensitive components，magnetic sensors have been developedwith high sensitivity，fast response and SO on，The paper presentes the way to conve~ weak magnetic fieldsinto visual data display in terms of circuit induction，circuit magnification and selection，A／D conversionand the terminal display circuit by using giant magneto—impedance effect Oil amorphous wire．A new—typeof micro—gauss meter is developed based on above study．The result indicates that the micro—gauss meterhas the sensitivity of 1 8 mV／p~T，the minimum resolution to 1 00nT，and non—linearity errors ranging from0。76％ F．S．The micro—gauss meter has certain practical values and promising prospects in the area ofweak magnetic measurements． Key words： amorphous wires；giant magneto—impedance effect；weak magnetic fields；gauss meter 0 引言 1992年，Mohri 等人存具有零或负磁致伸缩系数的钴基软磁非晶丝中发现，当直接对其进行高频交流磁化时，其阻抗随外加磁场变化而变化，且非常灵敏，因此将其称为巨磁阻抗(Giant Magneto—im—pedance，简称GMI)效应。GMI传感器与磁通门传感器、磁阻传感器比较，具有高灵敏度、微型尺寸和快速响应等优点。用GMI材料制作的传感器可用于宇航T程、军事探}贝0、地质勘探、医疗诊断、交通控制和机械工业等磁场测量，因此，GMI效应一经发现便受到各国学者的特别关注，并开展了广泛的研究工作 。 本文利用非晶丝的GMI效应，通过弱磁场感应电路、放大和提取电路、A／D转换和终端显示电路，将弱磁场转化为直观可视的数据显示，并最终产品化为一种新型高斯计。 1 高斯计的电路设计 高斯计主要由敏感元件、跟随器、信号峰值采样电路、放大电路、单片机A／D转换电路和LCD液晶显示电路等部分组成，图1为高斯计主要组成电路示意图。 基本工作过程是首先由激励电路产生频率1MHz、电压5 V的方波信号，信号经过敏感元器件后产生感生电压，感生电压将随着外加磁场的变化而变化，跟随器再将变化的信号放大，放大的信号进入峰值采样电路以模拟信号的形式输出，模拟信号经A／D转换后以数字信号形式输出，输出的信号经过软件处理后最终由LCD显示出来。主要实验设备有HP33120信号发生器、泰克MS~104示波器、H~420直流电源、亥姆霍兹线圈、数控绕线机和点焊机等。 1．1 敏感元器件 图2是敏感探头的制作示意图，它的具体制作方法如下：用数控绕线机将漆包线均匀的绕在非晶丝上，然后将非晶丝的两端焊接在电路板上。漆包线的两端经过点焊机处理后，也焊在电路板上，如图2所示。 图3为漆包线匝数