模拟电子技术第一章课件.ppt

例如：T=300K时，在硅晶体中掺入十亿分之一，即10-9的施主杂质： 硅原子的浓度为：5.1?1022cm-3 杂质浓度为：ND=5.1?1022?10-9=5.1?1013cm-3 本征激发时：pi=ni=1.43??1010cm-3 少子的浓度为： 电子浓度与空穴浓度的比值为： ND/P=1.28??107倍因此半导体中的电流基本上是多子的电流 这种半导体的电阻率为89.3 ??cm，而本征硅的电阻率为2.14?105 ??cm ，二者的导电性能相差2396倍。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 三. PN结伏安特性的表达式---PN结方程 PN结两端的电压U和流过PN结的电流I之间的关系为： 其中：UT=kT/q，称为温度电压当量 [ T为热力学温度， k为玻尔兹曼常数 (8.63?10-5ev/k, 或1.38?10-23J/k) q为电子电荷量，q=1.602?10-19库仑]所以， UT=T/11600, 当T=300K时， UT ?0.026V=26mv IS为反向饱和电流 四. PN结伏安特性 因此，PN结的正向特性上升很陡，而反向的饱和电流很小，且在一定范围内保持为常数。如图所示： 四. PN结的电容效应 PN结具有一定的电容效应，根据产生原因不同分成两种。 扩散电容Cd ：扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。 势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 PN结的总电容为二者之和： Cj=Cb+Cd 正向偏置时，结电容以扩散电容为主， 反向偏置时，结电容以势垒电容为主。 (1) 点接触型二极管——PN结面积小，结 电容小，用于检波和变频等高频电路 (2) 面接触型二极管——PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 (3) 平面型二极管—往往用于集成电路制造工艺中。 PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号、等效电路和典型应用电路如所示。 一、结型场效应管 A、 结型场效应三极管的结构 栅极G 漏极D 源极S。 B. 工作原理（N沟道） 为什么呈现恒流特性？ 5. 低频跨导 UGD=UGS—UDSUGS(off）当UDS一定，可用UGS来确定ID（压空元件） 可以把ID看成UGS控制的电流源 （1）输出特性曲线 iD=f(uDS) | UGS=常数 输出特性分成可变电阻区（非饱和区）、恒流区（饱和区）和夹断区。 （2）转移特性曲线 iD=f(uGS)|UDS=常数 恒流区中iD的近似表达式为： 二.绝缘栅型场效应管 A、N沟道增强型MOSFET ⑴ 结构 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。通常沉底与源极连在一起，栅极与衬底间形成电容。 ⑵ 工作原理 ①．栅源电压UGS的控制作用 当UGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若0＜UGS＜UGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以仍然不足以形成漏极电流ID。 ②．漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 a) UGSUGS(th) UDS0 b) UDS继续增大直到UGD=UGS(th) 出现预夹断