高纯锗射线探测器及其新技术.pptVIP

高纯锗?射线探测器及其新技术 石宗仁 放射性计量测试部 中国原子能科学研究院 西安，2006,10 21 报告内容 引言 １．Ge探测器 ２．Ge反康普顿和对谱仪 ３．Ge反康普顿谱仪阵列 ４．clover和cluster ５．电极分割的Ｇe ６．?射线踪迹阵列 ７．脉冲形状分析 总结 引言－基础和应用研究 Ge?射线探测器有广泛的应用. 放射性离子束核物理面对着：小的反应率，高速?射线源的Doppler展宽，大的?射线的多重性 multiplicity ，M??30，及高本底等极端条件． 无中微子的双?衰变． 天体物理 Compton Telescope 、核医学、核保障等促进了HPGe探测器的发展． 引言－?射线探测器的特性 固有的、导出的及与源和环境有关的三种 特性参数。 1.本征能量分辨率?E/E，Doppler展宽 0, FWHM＝ ?E2s+ ?E2n ?2keV， 2.全能效率 full energy efficiency 　?， 3.峰总比 peak-to-total ratio 　P/T， 4.颗粒度 granularity ， 导出的特性参数 角分辨率 angular resolution ??, 位置分辨率, 考虑Doppler效应的有效能量分辨率?E， ?E2 ?E2s+ ?E2n +?E2D. 优良指数 fom ??P/T? ?E-1. 分辨本领 resolving power ,在大的复杂的本底中挑选出弱?射线的能力． RP exp[ln N0/N / 1-ln?/lnR ], R 0.76 SE/?E P/T. 引言－?射线探测器的特性 5.能量范围， 6.定时分辨率， 7.线极化灵敏度及其优良指数， 8.探测下限等。 所有参数都是?射线能量Ｅ?及其多重性Ｍ?的函数，通常指Ｅ?＝1.332MeV和Ｍ? ＝１. Ge探测器的发展 提高?E, ?,P/T性能指标． 显著提高分辨本领. 有关技术的发展 电制冷技术使其广泛的应用， MC模拟为设计良好的探测器及计算其特性提供工具， 数字电子学． １．HPGe探测器 在1962年Ge Li ， A.J.Tavendale and G.T.Ewan。 　FWHM 6keV,分辨率的革命． 　相对NaI Tl 的效率??1％。 在1971年HPGe,R.H.Pehi et al.。 　大体积，现在p型HPGe 的直径和高度达?98?110mm2,体积800cc, 质量4.4kg， ?? 207.6%，FWHM 2.4keV。 HPGe探测器类型 n-型和p-型Ge． n-型几keV-20MeV，抗辐照及损伤可恢复. p-型几十keV-20MeV，有较好的能量分辨率． 在几何上，常用的为单开端同轴和平面两种，及特殊的，如井型等. 单开端同轴可认为由同轴平面和真同轴两部分组成. 单开端同轴从n-型和p-型的中心电极通过DC耦合分别引出负的和正的信号。 HPGe的响应函数 响应函数，一个单能?射线在HPGe探测器中产生的脉冲幅度谱，特别是峰形函数。 场增量、陷阱和表面道效应影响峰形函数。 脉冲形状 HPGe探测器输出的脉冲形状与电子和空穴对的产生位置有关。 单开端同轴的平面部分与z和r，及真同轴部分与r有关. 晶轴取向效应,相对电场和电载体运动方向间的夹角影响脉冲形状。 脉冲形状的影响 负面效应 定时分辨率比闪烁体差， 弹道亏损． 正面意义 甄别单次和多次相互作用的脉冲， 定位． 脉冲形状甄别 单次和多次相互作用产生的电流脉冲形状 HPGe的效率 增大HPGe的立体角及其本征效率，即增大体积。 增大体积带来一系列的困难，如偶然和、符合和、弹道亏损、角分辨率及?E等显著地增加。 提高HPGe颗粒度是另一个重要的方向。 保持高效率，克服上述困难，还能实现?射线源的影像测量等。 ２．Ge反康普顿和对谱仪 为了提高P/T及单色化脉冲谱，有两种谱仪： Ge反康普顿谱仪 在Ge外套2cm厚的BGO或4cm的NaI。Ge 和闪　　烁体的反符合信号禁戒Ge 的输出．它适合E?＜2MeV ，?7?8cm2，P/T从20%?55%。 对谱仪 pair spectrometer 在Ge外套BGO或NaI环，环分两半。Ge 和两半闪烁体三重符合信号允许Ge 输出。它适合E??2MeV时。单色化脉冲谱． 联合谱仪。 ３． Ge反康普顿谱仪阵列 在1980年Copenhagen, P.Twin． 　第一个用5个NaI Tl 屏蔽的Ge Li 反康谱仪构成阵列 Array ，称为TESSA ． 　 total energy suppression shield array 增大立体角和颗粒度。 使用Ge探测器的重大创举。 Ge反康普顿谱仪阵列的意