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：
ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０１５
高压 结终端技术研究
ＶＤＭＯＳ
胡佳贤，韩雁，张世峰，张斌，韩成功
（浙江大学微电子与光电子研究所杭州， ）
３１００２７
摘要：功率 由于其优异特性而被广泛地应用于开关电源、汽车电子等领域，是
ＶＤＭＯＳＦＥＴ
。 ，
功率器件的主流产品之一功率 器件由于终端结的曲率效应其高压阻断能力受到限
ＶＤＭＯＳ ｐｎ
制，为了提高高压阻断能力，结终端技术被广泛采用，是现代功率器件的关键技术之一。首先简
要介绍了各种 结终端技术及其最新研究和发展然后介绍了自行研制的拟量产的，
ＶＤＭＯＳ ２００ Ｖ／
２
、特征导通电阻 ·、带 防护的 晶体管的终端结构的理论设计、仿真结
４０ Ａ １２ ｍｍ ＥＳＤ ＶＤＭＯＳ
Ω
果及实际流片测试结果器件采用 ２外延层进行流片测试结果表明耐压达到
； ， · ，
１７ ｍ ５ ｍｍ
μ Ω
以上说明了终端结构的设计是成功的
２１５ Ｖ ， 。
： ； ； ； ；
关键词ＶＤＭＯＳ 结终端场限环场板导通电阻
： ： ： （ ）
中图分类号 文献标识码 文章编号 增刊
ＴＮ４３２ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ００５２０３
Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ＶＤＭＯＳＦＥＴ
， ， ， ，
Ｈｕ Ｊｉａｘｉａｎ Ｈａｎ Ｙａｎ Ｚｈａｎｇ Ｓｈｉｆｅｎｇ Ｚｈａｎｇ Ｂｉｎ Ｈａｎ Ｃｈｅｎｇｇｏｎｇ
（ ， ， ， ）
Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｚｈｅｊｉａｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｈａｎｇｚｈｏｕ ３１００２７ Ｃｈｉｎａ
：
Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｐｏｗｅｒ ＶＤＭＯＳ ｉｓ ｗｉｄｅｌｙ ｕｓｅｄ ｄｕｅ ｔｏ ｉｔｓ ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ ａｃｔｉｖｉｔｉｅｓ ｉｎ ａｒｅａｓ ｓｕｃｈ ａｓ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｐｏｗｅｒ
，
ｓｕｐｐｌｙ ａｎｄ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｍａｉｎｓｔｒｅａｍ ｐｏｗｅｒ ｄｅｖｉｃｅｓ． Ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｉｎａｌ ｐｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ ｃｕｒｖａｔｕｒ
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