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41 1 Vol. 41 No. 1
2011 1 Aeronautical Com puting Techn ique Jan. 2011
4HSiC
黄 鹤, 张玉明, 汤晓燕, 张义门, 苗瑞霞
(西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室, 陕西 西安 710071)
: 根据 4HSiC 刃型位错的特点,在 Castep 软件中建立了 6 6 1的刃型位错模型基
第一性原理, 利用 Castep程序对刃型位错的相关性质进行了计算, 并与完整晶格的模拟结果进行
了对比结果表明在 引入刃型位错之后, 4HSiC 材料的带隙变窄,在靠近导带底部态密度出现了
一个新的峰值,这主要是由位错芯处的悬挂键在禁带中引入了一个缺陷能级所致
: 4HSiC; 刃型位错; 第一性原理
: TP391. 9 : A : 1671654X( 2011)
Sim u lation of Threading E dge D islocation s in 4HSiC
HUANG H e, HANG Yum ing, TANG X iaoyan, HANG Y imen, M IAO Ruixia
(X idian University, X i an 710071, Ch ina)
Abs tract: A model of threading edge dislocation (TED) of 4H SiC scaled 6 6 1 is presented in
Castep Smi ulator. By adopting this sofwt are, the relative properties of TED are obtained and analyzed
based on the first principle. It is found that the bandgap become narrow and a new little peak ap
peared in the density of states at the bottom of conduction band compared to the ideal crystal lattice. It is
due to the existence of dangling bonds to introduce a dislocation energy level in forbidden band nearby the
bottom of conduction band.
K ey w ord s: 4H SiC; threading edge dislocation (TED); firstprinciple
4HSiC
,
4H SiC
4HSiC 1
, 4HSiC, ( 0001)
, SiC SiC , ( 0001), ,
, (0001)[ 1120],
, ( 0001)
[ 1120],
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70% ~ 90% ,
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