单片机数字温度计_课程设计.doc

嵌入式程序设计 课程设计 设计名称 数字温度计 专业班级  一设计要求： 1．设计温度传感器接口电路； 2．设计LED显示电路； 3．设计按键接口电路； 4．设计数据采集及显示程序。 二：硬件电路设计： 基于单片机的数字温度计 根据系统功能要求，系统原理结构框图如下： 图1：系统原理结构图 单片机的选择 AT89C51作为温度测试系统设计的核心器件。该器件是INTEL公司生产的MCS一5l系列单片机中的基础产品，采用了可靠的CMOS工艺制造技术，具有高性能的8位单片机，属于标准的MCS—51的CMOS产品。不仅结合了HMOS的高速和高密度技术及CHMOS的低功耗特征，而且继承和扩展了MCS—48单片机的体系结构和指令系统。单片机小系统的电路图如图2所示。 图2： 图2 单片机小系统电路 AT89C51单片机的主要特性： (1)与MCS-51 兼容，4K字节可编程闪烁存储器； (2)灵活的在线系统编程，掉电标识和快速编程特性； (3)寿命为1000次写/擦周期，数据保留时间可10年以上； (4)全静态工作模式：0Hz-33Hz； (5)三级程序存储器锁定； (6)128*8位内部RAM，32可编程I/O线； (7)两个16位定时器/计数器，6个中断源； (8)全双工串行UART通道，低功耗的闲置和掉电模式； (9)看门狗（WDT）及双数据指针； (9)片内振荡器和时钟电路； 温度传感器介绍 DS18B20可以程序设定9~12位的分辨率，精度为±0.5°C。可选更小的封装方式，更宽的电压适用范围。分辨率设定，及用户设定的报警温度存储在EPROM中，掉电后依然保存。 温度传感器DS18B20引脚如图3所示。 8引脚封装 TO－92封装 图3 温度传感器 引脚功能说明： NC ：空引脚，悬空不使用； VDD ：可选电源脚，电源电压范围3~5.5V。当工作于寄生电源时，此引脚必须接地。 DQ ：数据输入/输出脚。漏极开路，常态下高电平。 GND ：为电源地 DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。 光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位（28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。 DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量，以12位转化为例:用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以0.0625℃/LSB形式表达，其中S为符号位。 这是12位转化后得到的12位数据，存储在18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0，这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。 例如+125℃的数字输出为07D0H，+25.0625℃的数字输出为0191H，-25.0625℃的数字输出为FF6FH，-55℃的数字输出为FC90H。 DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的E2RAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和结构寄存器。 暂存存储器包含了8个连续字节，前两个字节是测得的温度信息，第一个字节的内容是温度的低八位，第二个字节是温度的高八位。第三个和第四个字节是TH、TL的易失性拷贝，第五个字节是结构寄存器的易失性拷贝，这三个字节的内容在每一次上电复位时被刷新。第六、七、八个字节用于内部计算。第九个字节是冗余检验字节。 该字节各位的意义如下： TM R1 R0 1 1 1 1 1 低五位一直都是1 ，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率，如表1所示：（DS18B20出厂时被设置为12位） 表1 DS18B20温度转换时间表 R1 R0 分辨率/