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网络出版时间：2011-5-24 15:16
2011 年 12 月 西安电子科技大学学报（自然科学版） Dec.2011
第 38 卷 第 6 期 JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY Vol.38 No.6
doi：10.3969/j.issn.2010-0495.2011.06.006
一种碳化硅外延材料质量评估新技术
马格林，张玉明，张义门, 马仲发
( 西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安 710071)
摘要：用红外镜面反射（ISR）谱对半绝缘碳化硅（SiC）外延层进行了测试，结果发现ISR 谱能提供拉
曼散射（RS）谱、XRD、AFM 和XPS 测试的质量参数，并且与后面几种技术的综合测试结果一致，因
此认为ISR 谱可以作为一种低成本、快捷、无损，可在线的 SiC 外延层质量监测技术体。
关键词：碳化硅，外延材料，质量评估，红外镜面反射（ISR）谱
中图分类号：O472+3 文献标识码：A 文章编号：1001-2400(2011)06-0043-07
A new quality evaluation technique for SiC epitaxial materials
MA Gelin, ZHANG Yuming, ZHANG Yimen, MA Zhongfa
( School ofMicroelectronics Xidian Univ., Xi’an 710071, China)
Abstract: Semi-insulating epilayer of 4H-SiC was measured by the Infrared Specular Reflection (ISR) Spectroscopy. The results shows
that the ISR spectrum includes the quality parameters obtained by Raman Scattering (RS) Spectroscopy, X Ray Diffraction (XRD), Atom
Force Microscopy (AFM) and X ray Photoelectron energy Spectroscopy (XPS), and also agree well with the comprehensive results from
them. It is concluded that ISRS can be used as a low cost, high efficiency, non-destructive and on-line monitoring technique for the quality
control of SiC epilayer.
Key Words: SiC, epitaxial materials, quality evaluation, Infrared Specular Reflection （ISR）Spectroscopy
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