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第七章 光刻 教学内容及教学过程】
概述
图7-1 半导体制造工艺流程
7.1.1 光刻的概念
光刻处于晶圆加工过程的中心，一般被认为是集成电路（IC）制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。
图7-2 光刻的基本原理图
光刻的目的
光刻实际是图形的转移，把掩膜版上的图形转移到晶圆的表面。
7.1.3 光刻的主要参数
在光刻工艺中，主要的参数有特征尺寸、分辨率、套准精度和工艺宽容度等。
1.特征尺寸
2.分辨率
图7-3 焦深的示意图
3.套准精度
4.工艺宽容度
7.1.4 光刻的曝光光谱
曝光光源的能量要能激活光刻胶，并将图形从掩膜版中转移到晶圆表面。由于光刻
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