微小孔径激光器的工艺及器件功率和寿命特性分析3.pdfVIP

微小孔径激光器的工艺及器件功率和寿命特性分析3.pdf

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第 54 卷 第 12 期 2005 年 12 月 物  理  学  报 Vol . 54 ,No . 12 ,December ,2005 10003290200554 ( 12) 560905 ACTA PHYSICA SINICA 2005 Chin . Phys. Soc . 微小孔径激光器的工艺及器件功率和寿命特性分析 ) ) ) ) ) ) ) ) 宋国峰1  甘巧强1 2  瞿  欣3  方培源3  高建霞1 2  曹  青1 ) ) ) ) ) ) ) ) ) 4 4 1 2 1 2 1 2 1 徐  军  康香宁  徐  云  钟  源  杨国华  陈良惠 1) ( 中国科学院半导体研究所 ,北京  100083) 2) ( 中国科学院研究生院 ,北京  100039) 3) ( 复旦大学材料科学系 ,上海  200433) 4) (北京大学物理系 ,北京  100871) (2005 年 1 月 6 日收到 ;2005 年 6 月 28 日收到修改稿)   在 650 nm 波长半导体激光器的基础上制造出了高输出功率的微小孔径激光器. 驱动电流为 25 mA 时 , 输出功 率达到 04 mW ,最大功率可达 1 mW 以上. 叙述了微小孔径激光器的特殊的制造工艺 ,并分析了器件可能的失效 机理. 关键词 : 近场光学 , 微小孔径激光器 , 半导体激光器 , 失效分析 PACC : 0779 , 0650 , 6146 , 4280T 1 引 言 随着信息化程度的不断提高 ,人们对信息存储 密度的要求越来越高. 传统的光信息存储技术的存 储密度主要受限于经典光学的衍射分辨率极限. 如 果要使存储密度继续提高 ,就必须突破经典光学的 衍射分辨率极限. 光束汇聚的极限光斑直径 S 表 达式为 λ S = n sin θ. ( 1) m S 直接体现数据存储的密度 , S 越小单位面积上的 图 1  传统光盘系统示意图 存储密度越高. ( 1) 式中 n 是光盘材料折射率 , λ是 入射光波长 , θ 是光束经过透镜后 的汇聚角度 或光盘读写的信号. 在这样的背景下 ,近场光学得到 m ( 图 1) . 了飞速发展. ( ) 式 1991 年 ,文献 [ 1 ] 开发出单模光纤探针和激光 根据 1 ,要使 S 减小从而提高数据存储密 度 ,主要有两种方法. 第一种是增加频率 、减小波长. 探测技术 ,他们用探针将近场信号耦合出来作为探 从红光存储到蓝光存储就是利用蓝光的衍射分辨率 测信号 ,为近场光学的实用化铺平了道路. 但单模光 极限 S

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