数字电子技术-2.2 MOS数字集成电路.pptVIP

2.2 MOS数字集成电路 由单极型场效应管组成的集成电路，即MOS门电路。 金属-氧化物-半导体场效应管简称MOS管，MOS管有P沟道和N沟道两种，每种又有耗尽型和增强型两类。 MOS管构成的数字电路，有由N沟道MOS管构成的NMOS门电路，有由P沟道MOS管构成的PMOS门电路，以及由N沟道和P沟道构成的互补MOS电路，也叫CMOS电路。CMOS门由于其静态功耗低、抗干扰能力强、工作稳定性好、开关速度高等显著优点 。 设输入电压uI=UIL=0V, VTN的栅源电压uGSN=0UTN，使VTN截止，VTP的栅源电压uGSP=-VDD UTP,使VTP导通，输出电压约为uO=VDD；当输入高电平uI= UIH= VDD时，uGSN=VDDUTN,使VTN导通,uGSP=0 UTP,使VTP截止，输出为低电平0V。 2.2.2 其它CMOS逻辑门 1、CMOS与非门 2、CMOS或非门 ?3、CMOS传输门 4、CMOS 三态门 5、漏极开路的门电路（OD门） CMOS门电路在使用时要注意： 输入端不能悬空 不用的与门输入端可以接高电平或电源 不用的或门输入端可接地 CMOS门的输出端是可以直接相连的。 * 2.2.1 CMOS反相器 1.电路组成 UTN和UTP 分别为VTN和VTP的开启电压值。 ＋VDD VTN uO uI VTP 增强型PMOS管 增强型NMOS管 两管按互补对称性连接，即两管栅极连在一起，作为输入 漏极连在一起作为输出 VTP源极接电源 VTN源极接 2.工作原理 3.传输特性 2 4 6 8 2 4 6 8 uO/V uI/V O 10 VTN截止 VTN在饱和区 VTＰ可变电阻区 VTN VTＰ在饱和区 VTN在饱和区 VTＰ在饱和区 VTN可变电阻区 VTＰ截止 ＋VDD VT2 F A VT4 VT3 VT1 B ＋VDD VT2 F A VT4 VT3 B VT1 传输门的输入和输出可以互换使用，所以传输门是一种可逆双向器件。 ＋VDD C VTP C VTN uO/ uI uI/ uO C C uI TG uO ＋VDD A F EN TG 1 A 1 EN EN F A B F ＆ ＋VDD1 A ＋VDD2 VSS B 1 ＆ F=AB *