Nb改性Bi4Ti3O12高温压电陶瓷的研究.pdfVIP

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2017-09-16 发布于重庆
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Nb改性Bi4Ti3O12高温压电陶瓷的研究.pdf

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第 25 卷第 11 期无机材料学报 Vol. 25 No. 11 2010 年 11 月 Journal of Inorganic Materials Nov., 2010 文章编号: 1000-324X(2010)11-1169-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.01169 Nb 改性 Bi Ti O 高温压电陶瓷的研究 4 3 12 江向平, 杨庆, 陈超, 涂娜, 余祖灯, 李月明 (景德镇陶瓷学院材料工程系, 景德镇333001) 摘要: 采用固相法(成型压力~12MPa)获得了 Nb 改性的 Bi Ti O (BIT+xmol%Nb O )层状压电陶瓷. 研究发现随着 4 3 12 2 5 Nb O 含量的增加, a-b 面取向的晶粒逐渐增多, 晶粒尺寸愈细化与均匀. Nb O 的引入明显降低了 BIT 系列陶瓷的 2 5 2 5 导电率和介电损耗, 提高了陶瓷的相对密度﹑压电与机电性能. 适量 Nb O (x=4.00) 掺杂时, 陶瓷的电导率 2 5 (~1013S/cm) 比纯 BIT 的降低了 2 个数量级, 且该陶瓷的相对密度=98.7%, tanδ=0.23%, d33=18pC/N, Qm=2804, k =8.1%, k =18.6%, N =2227Hz·m, N =2025Hz·m. BIT+xmol%Nb O (x=4.00)陶瓷在 600℃经退极化处理后, 其 d 基 p t p t 2 5 33 本保持不变(~17pC/N), 表明该材料在高温器件领域具有良好的应用前景. 关键词: 压电陶瓷; 微观结构; 机电性能; Bi Ti O 4 3 12 中图分类号: TQ174 文献标识码: A Nb-modified Bi Ti O