二极管与三极管.pptVIP

三. 晶体二极管与晶体三极管 3.1、半导体基础 3.2、晶体二极管 3.3、晶体三极管 常用三极管 3.1、半导体基础  3.1.1 半导体的概念 3.1.2 PN结的形成 3.1.3 PN结的单向导电性 3.1.1 半导体的概念 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著的改变。因掺入杂质性质不同，杂质半导体可分为空穴（P）型半导体和电子（N）型半导体两大类。 P型半导体是在纯净的半导体中掺入三价元素而形成的，其中空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子，以空穴导电为主。三价元素：硼、铝、铟 （受主原子---能够吸收电子的杂质原子） N型半导体是在纯净的半导体中掺入五价元素而形成的，其中自由电子为多数载流子，而空穴为少数载流子，以自由电子导电为主。五价元素：磷、砷、锑 （施主原子---可以提供电子的杂质原子） 由于热激发而产生的自由电子 P型、N型半导体的导电能力虽然增强，但并不能直接用来制造半导体器件。通常应将一块完整的半导体中的一部分形成P型半导体，另一部分形成N型半导体，在流子扩散后，在P型及N型半导体的交界面处就会形成一个具有内电场的电荷区，称PN结。 　　 电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。 P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构的关系，它们不能移动，因此称为空间电荷，它们集中在P区和N区的交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是所谓的PN结。 在空间电荷区后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区中形成一个电场，其方向从带正电的N区指向带负电的P区，由于该电场是由载流子扩散后在半导体内部形成的，故称为内电场。因为内电场的方向与电子的扩散方向相同，与空穴的扩散方向相反，所以它是阻止载流子的扩散运动的。 半导体中的PN结是半导体内的内电场，它的方向是由N区指向P区的，只允许一个方向的电流通过，因此说PN结具有单向导电性。 当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空穴少，结果P型材料中的空穴向N型材料这边扩散，N型材料中的电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。 当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强； 当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN结的单向导电性,电流方向是从P指向N。 思考题 1、最常用来制成半导体的材料是什么？ 2、P型半导体和N型半导体分别是由什么构成的？ 3、空间电荷区又称为耗尽区，为什么？ 4、如需将PN结处于正向偏置，外接电压的极性如何确定？ 5、PN结处于反向偏置时，耗尽区的宽度是增加还是减少？为什么？ 3.2、半导体二极管 3.2.1 二极管结构类型 3.2.2 二极管的分类及应用 3.2.3 二极管的导电特性 3.2.4 技术参数 3.2.1.1 二极管的结构 半导体二极管内部有一个PN结，还有相应的正负电极引线，用玻璃、塑料或金属管壳封装制成，从P区引出的电极称为阳极，用“+”表示；从N区引出的电极称为阴极，用“-”表示。二极管的文字符号用D表示。 半导体二极管按其结构的不同可以分为点接触型、面接触型和平面型。 点接触型二极管 点接触型二极管是由一根很细的金属触丝（如三价元素铝）和一块半导体（如锗）的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使出丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成。 由于点接触型二极管金属丝很细，形成的PN结面积很小，所以极间电容很小，同时也不能承受高的反向电压和大的电流，这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件。 面接触型二极管 面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 平面型二极管 平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路、集成电路中。 3.2.2 二极管的