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第 20 卷第 2 期 常熟理工学院学报 Vol. 20 No. 2 2006 年 3 月 Journal of Changshu Institute of Technology Mar. 2006 掠入射 X 射线散射方法与应用 吴小山 ,张 　维 ,林 　涛 (南京大学 固体微结构物理国家重点实验室 ,江苏 南京 　210093) 摘 　要 : 描述了掠入射 X 射线散射的基本方法 ,包括掠入射 X 射线衍射、掠入射 X 射线反射和掠 入射 X 射线漫散射方法。还对实验室进行掠入射 X 射线散射的实验几何进行了描述 ,并给出 X 射 线掠入射方法在纳米薄膜材料研究中的应用。 关键词 : X 射线 ;掠入射散射 ;人工材料 ;实验几何 ( ) 中图分类号: 0511 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 1008 - 2794 2006 02 - 0014 - 09 　　近年来 , 由于人工功能晶体材料、薄膜材料和多层膜、超晶格材料的快速发展,对材料的结构和工艺提出 了越来越多的要求。例如对公益生长的方法、生长参数、生长条件等的变化会很大程度上影响人工功能材料 的物理性能。对人工功能晶体 KDP 或 KTP 的研究表明[1 - 2 ] ,在晶体生长初期 ,籽晶的形态、尺度、取向等都 会很大程度上影响晶体中的缺陷组态和分布 ,从而影响晶体的铁电特性 ;而对人工薄膜材料 ,生长方法、工艺 及生长参数更是影响薄膜的质量和功能 ,如对 Co/ Cu/ Co 自旋阀的研究,不同的生长条件导致完全不同的结 果[3 - 5 ] ,当增加一层NiO 反铁磁层 ,NiO 有两种可能的作用 , 即反铁磁钉杂或诱导铁磁矫顽场的作用。当利 用磁控溅射方法 ,且生长气压较低时 ,出现反铁磁钉杂效果;而当溅射气压稍高时 ,则表现为诱导矫顽场的变 化。上述例子表明 ,不同的生长工艺、生长方法和生长参数对应不同的功能 ,这中间起联系纽带作用的应该 是材料的结构。因此发展合适的结构表征方法是必要的 ,也是必须的。 相对于电子显微镜、核磁共振技术 ,X 射线方法简单、易行 ,投入低 ,而且是无损伤探测技术。自 1895 年 伦琴发现 X 射线之后的 100 多年里 ,人们已经对有限的物质元素如何构成纷繁复杂的大千世界有了深刻的 认识 ,甚至可以利用对原子世界的认识构建自己需要的物质材料。X 射线表征材料结构的新方法、新技术也 不断涌现 , 自1901 年伦琴获得世界上第一个诺贝尔奖之后 ,在过去的 100 年中 ,先后又有21 位杰出的科学家 因完成与 X 射线相关的工作而获得诺贝尔奖 ,这充分说明了 X 射线技术的先进性。现就近年来发展的掠入 射 X 射线散射技术及其应用作一简单介绍。 1 　掠入射 X 射线散射方法 纷繁复杂的物质世界是由原子、分子组成的 ,原子分子由原子核与绕核作高速运动的电子构成 ;原子核 由带正电的质子和具有自旋的中子构成, 电子带负电,且具有自旋磁矩和轨道磁矩 ; 由于电子之间、电子和原 子核之间、及电子轨道磁矩、自旋磁矩和核磁矩之间都存在相互作用 ,就构成了材料中复杂的晶体场。对各 ( ) 种场分布的探测或对粒子、准粒子 如电子、质子、中子等 的定位可以获得物质结构的信息。X 射线是一种 　收稿日期 :2005 - 10 - 15 ( ) 作者简介 :吴小山 1964 — ,男 ,江苏如东人 ,教授 ,博士生导师。 © 1994-2006 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 第 2 期 　　　　　　 　吴小山 ,张 　维 ,林 　涛 :掠入射 X 射线散射方法与应用