低能犆狅离子注入单晶犣狀犗的光致发光特性.pdfVIP

第 卷 第 期 原 子 核 物 理 评 论 ， ２６ ３ Ｖｏｌ．２６ Ｎｏ．３ 　 　 　 年 月 ， ２００９ ９ ＮｕｃｌｅａｒＰｈｓｉｃｓＲｅｖｉｅｗ Ｓｅ． ２００９ 　 ｙ ｐ 　 文章编号： （ ） １００７－４６２７２００９０３－０２３８－０４ 　　 低能 离子注入单晶 的光致发光特性 犆狅 犣狀犗 ＃ 李天晶，高行新，李公平 ，李玉红 （兰州大学核科学与技术学院，甘肃 兰州 ７３００００） 摘 要：采用离子注入法研究了 离子注入 晶体的光致发光效应。对离子注入后的样品在 Ｃｏ ＺｎＯ 　 Ａｒ气保护下进行退火处理，退火温度为７００℃，退火时间为１０ｍｉｎ，在其光致发光谱中观察到了 和 的紫光发射峰。对比了 ， 离子分别注入的 晶体的光致发光谱，观测到二 ４０６ ３７０ｎｍ Ｃｏ Ｃｕ ＺｎＯ 者的光致发光谱类似。同时，研究了 离子注入剂量对样品发光性质的影响，结果表明随注入剂 Ｃｏ 量的增加绿色发光中心逐渐向低能边偏移，分析认为绿色发光中心的偏移与离子注入后ＺｎＯ晶体 的禁带宽度发生改变相关。 关 键 词： ； ；离子注入； ；光致发光 Ｃｕ Ｃｏ ＺｎＯ 中图分类号：Ｏ５７１．３３ 文献标识码：Ａ 　　　 １ 引言 入 ＺｎＯ晶体后对晶体结构和发光特性的影响。 　 氧化锌（ ）是一种性能优良的 — 族半导 ＺｎＯ Ⅱ Ⅵ ２ 实验 　 体材料，在室温下具有较大的禁带宽度（３．３７ｅＶ） 和较高的激子束缚能（６０ｍｅＶ），在非线性光学器 本实验是以厚 ０．５ｍｍ和大小为 １０ｍｍ×１０ 单面抛光的高质量单晶 （ ）作为衬底 ｍｍ ＺｎＯ ０００１ 件、发光器件和表面声波器件等领域有重要应用， 成为目前最具开发潜力的半导体材料之一。１９９７ （由德国ＭａＴｅｃｋ公司提供）。在室温下用离子注入 ［］ １ 法分别将 和 离子注入 晶体的抛光面。 年，Ｂａｎａｌｌ等 报道了室温下的ＺｎＯ薄膜在 ３５５ Ｃｏ Ｃｕ ＺｎＯ ｇ ｎｍ的激光脉